【產(chǎn)通社，4月13日訊】聚芯芯片科技（常州）股份有限公司（Unitedchip Technology；NEEQ股票代碼：833898）2019年年度報告顯示，其已經(jīng)取得《MOSFET封裝結(jié)構(gòu)及其晶圓級制作方法》的發(fā)明專利授權(quán)，將垂直結(jié)構(gòu)的MOSFET下表面重?fù)诫s區(qū)的電流引至MOSFET上表面，實現(xiàn)了源極、柵極、漏極在同一側(cè)，以便進(jìn)行晶圓級封裝，且槽內(nèi)大面積金屬保證了良好的散熱效果，簡化了工藝步驟，降低了封裝成本。

截止本期期末，公司共有10項著作權(quán)、2項發(fā)明專利和2項實用新型專利。

報告期內(nèi)，其“CSP封裝MOSFET及SiC MOSFET”項目入選江蘇常州“龍城英才計劃”第11批領(lǐng)軍人才創(chuàng)業(yè)優(yōu)先支持項目，該項目的技術(shù)先進(jìn)性及發(fā)展前景得到了認(rèn)可，項目的實施有望得到政府的大力支持。

查詢進(jìn)一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.utc-chip.com。（robin, 張底剪報）    （完）