【產(chǎn)通社，4月18日訊】揚州揚杰電子科技股份有限公司（Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.；股票代碼：300373）2019年度報告顯示，其整合各個事業(yè)部的研發(fā)團隊，組建公司級研發(fā)中心，包含SiC JBS研發(fā)團隊、IGBT研發(fā)團隊、MOSFET研發(fā)團隊、晶圓設(shè)計研發(fā)團隊、WB封裝研發(fā)團隊、Clip封裝研發(fā)團隊、技術(shù)服務(wù)中心這7大核心團隊，形成了從晶圓設(shè)計研發(fā)到封裝產(chǎn)品研發(fā)，從售前技術(shù)支持到售后技術(shù)服務(wù)的完備的研發(fā)及技術(shù)服務(wù)體系，為公司新品開發(fā)、技術(shù)瓶頸突破、擴展市場版圖等諸多方面提供強有力的保障。

公司按照國內(nèi)一流電子實驗室標準建設(shè)研發(fā)中心實驗室，建筑面積達5000m2，分為可靠性實驗室、失效分析實驗室、模擬仿真實驗室、綜合研發(fā)實驗室，是能夠滿足包括產(chǎn)品功能及環(huán)境測試，物化失效分析，產(chǎn)品電、熱及機械應(yīng)力模擬仿真等多項需求的一站式產(chǎn)品實驗應(yīng)用平臺。實驗室內(nèi)配有適用于二極管、BJT、MOSFET、IGBT、功率模塊等各系列產(chǎn)品的先進的研發(fā)測試設(shè)備。

報告期內(nèi)，公司推行高密度引線框架及低功耗芯片項目，成功降低成本及提升性能，實現(xiàn)資源利用率與生產(chǎn)效率的雙提高。成功開發(fā)50A/75A/100A-1200V半橋規(guī)格的IGBT，貢獻持續(xù)穩(wěn)定的銷售額，是公司開拓工業(yè)領(lǐng)域重點變頻器市場的關(guān)鍵舉措；同時，完成了高壓碳化硅產(chǎn)品的開發(fā)設(shè)計。 

針對已形成批量銷售的Trench MOSFET和SGT MOS系列產(chǎn)品，大幅擴充其產(chǎn)品品類，實現(xiàn)銷售規(guī)模與市場占有率的同步提升。同時，與中芯集成電路制造（紹興）有限公司簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議，新增又一可緊密合作的晶圓代工廠，確保公司具有充足的代工產(chǎn)能資源。

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