【產(chǎn)通社，4月23日訊】華潤微電子有限公司（China Resources Microelectronics Limited；股票代碼：688396）2019年年度報告顯示，其報告期內(nèi)加大技術(shù)研發(fā)的投入力度，通過配置先進(jìn)設(shè)備、引入高端人才、加強(qiáng)對外合作、充分利用產(chǎn)業(yè)鏈一體化的生產(chǎn)能力及技術(shù)資源，提升公司在相關(guān)領(lǐng)域的自主創(chuàng)新能力和研發(fā)水平，鞏固和保持公司產(chǎn)品和技術(shù)的領(lǐng)先地位，取得較好成效。

截至2019年底，公司境內(nèi)專利申請2,578項(xiàng)，PCT國際專利申請399項(xiàng)，境外專利申請291項(xiàng)；公司已獲得授權(quán)并維持有效的專利共計(jì)1,401項(xiàng)，其中境內(nèi)專利1,228項(xiàng)、境外專利173項(xiàng)。報告期內(nèi)，公司主要取得的研發(fā)成果如下：
（1）公司完成了多層外延超結(jié)650-700V工藝平臺的研發(fā)，并向快充、適配器、照明和大功率電源等主流市場推出了多顆產(chǎn)品。同時公司通過整合內(nèi)部資源，加快低壓溝槽柵MOS器件產(chǎn)品的系列化和升級換代，向市場推出了30V系列產(chǎn)品，多顆產(chǎn)品被國內(nèi)關(guān)鍵客戶認(rèn)定并開始采購。
（2）公司在IGBT器件和制造工藝領(lǐng)域積累了多項(xiàng)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的核心技術(shù)；產(chǎn)品進(jìn)入工業(yè)控制領(lǐng)域，并被批量采用；IGBT產(chǎn)品的銷售額同比提升45%。
（3）公司充分利用IDM模式優(yōu)勢和在功率器件領(lǐng)域雄厚的技術(shù)積累開展SiC功率器件研發(fā)，完成1200V、650V JBS產(chǎn)品開發(fā)和考核，并送客戶試用；完成6英寸JBS中試生產(chǎn)線一期項(xiàng)目建設(shè)。
（4）公司 600V硅襯底GaN HEMT器件主要靜態(tài)參數(shù)基本達(dá)標(biāo)，公司開始建設(shè)GaN外延材料的生產(chǎn)能力。
（5）公司向市場推出了高速光耦系列產(chǎn)品，填補(bǔ)了國內(nèi)空白。
（6）公司借助在BCD和雙極工藝技術(shù)方面的優(yōu)勢，重點(diǎn)研發(fā)電池、電源和電機(jī)控制應(yīng)用的功率IC產(chǎn)品。在無線充專用IC的設(shè)計(jì)技術(shù)方面，公司自主研發(fā)的無線充電發(fā)送端控制電路和接收端控制IC技術(shù)國內(nèi)領(lǐng)先，公司已掌握近距離無線電力傳輸與通訊控制技術(shù)、高效率無線充電系統(tǒng)架構(gòu)技術(shù)等關(guān)鍵技術(shù)和專利。在鋰電管理系統(tǒng)專用IC的設(shè)計(jì)技術(shù)方面，公司自主研發(fā)了單節(jié)鋰電保護(hù)、2-7節(jié)鋰電硬件保護(hù)、5-8節(jié)鋰電保護(hù)模擬前端以及10節(jié)及以上鋰電管理系統(tǒng)等技術(shù)和產(chǎn)品，公司全面布局高端動力電池和單節(jié)數(shù)碼電池保護(hù)方案，14-16串AFE產(chǎn)品進(jìn)入研發(fā)。全面覆蓋絕大多數(shù)鋰電系統(tǒng)的應(yīng)用需求。
（7）報告期內(nèi)，采用國產(chǎn)32位CPU IP的MCU新品完成設(shè)計(jì)試制。
（8）公司向市場正式發(fā)布了“0.18微米全系列分段式BCD工藝平臺”，性能與業(yè)界領(lǐng)先水平相當(dāng)，進(jìn)一步夯實(shí)了功率集成電路的工藝技術(shù)基礎(chǔ)。
（9）公司光電MEMS工藝平臺從6英寸升級到8英寸，大幅度提升了該工藝平臺的技術(shù)水平和競爭能力。
（10）公司牽頭承擔(dān)的“工業(yè)控制與風(fēng)機(jī)高壓芯片封裝和模塊技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目以高分通過國家科技重大專項(xiàng)辦公室組織的項(xiàng)目驗(yàn)收。目前公司已經(jīng)建立了金屬框架、鋁基板（IMS）和陶瓷基板三種技術(shù)解決方案的IPM模塊封裝平臺，可以滿足不同功能和功率等級的IPM模塊封裝的需要；在公司生產(chǎn)的中功率IPM模塊已經(jīng)在重點(diǎn)客戶變頻空調(diào)中批量應(yīng)用。
（11）報告期內(nèi)，公司“高性能MEMS器件設(shè)計(jì)與制造關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用”獲得國家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步二等獎、“智能功率驅(qū)動芯片設(shè)計(jì)及制備的關(guān)鍵技術(shù)與應(yīng)用”獲得江蘇省科學(xué)技術(shù)獎一等獎、同時IGBT、MCU等相關(guān)產(chǎn)品和技術(shù)獲得行業(yè)協(xié)會的評獎。

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