【產(chǎn)通社，4月29日訊】上海硅產(chǎn)業(yè)集團(tuán)股份有限公司（National Silicon Industry Group Co.,Ltd.；股票代碼：688126）2019年年度報(bào)告顯示，其營業(yè)收入分別為149,250.98萬元，歸屬于母公司股東的凈利潤、歸屬于母公司股東的扣除非經(jīng)常性損益后的凈利潤分別為-8,991.45萬元、-23,737.45萬元，均為負(fù)值。

公司2019年繼續(xù)推進(jìn)《20-14nm集成電路用300mm硅片成套技術(shù)開發(fā)與產(chǎn)業(yè)化》等國家、地方重大科研項(xiàng)目及公司自研項(xiàng)目的研發(fā)工作，全年研發(fā)支出8,415.73萬元。

對(duì)半導(dǎo)體級(jí)硅片規(guī)模制造而言，最具挑戰(zhàn)的是晶體生長過程中各種晶體微缺陷（如原生晶體缺陷、氧沉淀、位錯(cuò)等）以及微缺陷相互作用的控制。公司的單晶生長技術(shù)可以有效的控制晶體的微缺陷密度，提高晶體質(zhì)量以滿足各技術(shù)節(jié)點(diǎn)對(duì)硅片的技術(shù)要求；有效的控制晶體中的雜質(zhì)含量，特別是氧、碳含量；并最大程度降低對(duì)操作工人的依賴，保證拉制晶體質(zhì)量的重復(fù)性、穩(wěn)定性和一致性；同時(shí)提高產(chǎn)出良率，降低單晶生長成本。

SOI硅片是差異化、功能性集成電路襯底材料，其全介質(zhì)隔離特征能夠?qū)崿F(xiàn)全新的、不同于拋光片和外延片的器件設(shè)計(jì)，從而達(dá)到抗輻射、高速、低功耗的技術(shù)效果。SOI硅片制造方法主要包括SIMOX技術(shù)、Bonding技術(shù)、Simbond技術(shù)以及Smart Cut生產(chǎn)技術(shù)。公司目前已經(jīng)全面掌握了上述各SOI技術(shù)，能夠采用不同SOI技術(shù)規(guī)�；a(chǎn)面向汽車電子、傳感器、射頻器件、功率器件等應(yīng)用的200mm及以下全系列SOI硅片，提供全方位SOI解決方案。

報(bào)告期內(nèi)，公司針對(duì)技術(shù)發(fā)展的趨勢和下游客戶的要求，一方面不斷提升公司產(chǎn)品的主要技術(shù)參數(shù)，不斷向更先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的指標(biāo)要求靠近。另一方面，針對(duì)客戶的多元化技術(shù)要求，公司持續(xù)在生產(chǎn)制造工藝上進(jìn)行適應(yīng)性的改進(jìn)和調(diào)整。

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