【產(chǎn)通社，10月23日訊】Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE股市代號(hào)：VSH）日前推出一款新型25V n通道器件，從而擴(kuò)展了其Gen III TrenchFET功率MOSFET系列，對(duì)于采用PowerPAK SO-8封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻以及導(dǎo)通電阻與柵極電荷之乘積。

該SiR476DP在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)最大導(dǎo)通電阻為2.1mΩ，在10V柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)最大導(dǎo)通電阻為1.7mΩ。導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積是直流到直流轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中針對(duì)MOSFET的關(guān)鍵優(yōu)值 (FOM)，在4.5V時(shí)為89.25nC。

與為實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通損失及低開關(guān)損失而優(yōu)化的最接近的同類競(jìng)爭(zhēng)器件相比，這些規(guī)格意味著在4.5V及10V時(shí)導(dǎo)通電阻分別低32%與15%，F(xiàn)OM低42%。更低的導(dǎo)通電阻及柵極電荷可轉(zhuǎn)變成更低的傳導(dǎo)損失及開關(guān)損失。

Siliconix SiR476DP將在同步降壓轉(zhuǎn)換器以及二級(jí)同步整流及ORing應(yīng)用中作為低端MOSFET。其低導(dǎo)通及低開關(guān)損失將使穩(wěn)壓器模塊(VRM)、服務(wù)器及使用負(fù)載點(diǎn)(POL)功率轉(zhuǎn)換的眾多系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)功效更高且更節(jié)省空間的設(shè)計(jì)。

Vishay還推出了新型25V SiR892DP和SiR850DPn通道MOSFET。這些器件在4.5V時(shí)提供了4.2mΩ與9mΩ的導(dǎo)通電阻，在10V時(shí)為3.2mΩ及7mΩ，典型柵極電荷為20nC及8.4nC。所有這三款新型功率MOSFET均采用PowerPAK SO-8封裝類型。這些器件無(wú)鉛(Pb)，無(wú)鹵素，并且符合RoHS，因此符合有關(guān)消除有害物質(zhì)的國(guó)際法規(guī)要求。

目前，SiR476DP、SiR892DP及SiR850DP的樣品及量產(chǎn)批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為10～12周。查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)http://www.vishay.com。