【產(chǎn)通社，6月16日訊】安世半導(dǎo)體（Nexperia）官網(wǎng)消息，其全新高壓氮化鎵場效應(yīng)管采用新一代H2技術(shù)，包含兩種封裝——TO-247和Nexperia專有的CCPAK。兩者均實(shí)現(xiàn)了更出色的開關(guān)和導(dǎo)通性能，并具有更好的穩(wěn)定性。由于采用了級聯(lián)結(jié)構(gòu)并優(yōu)化了器件相關(guān)參數(shù)，Nexperia的氮化鎵場效應(yīng)管無需復(fù)雜的驅(qū)動和控制，應(yīng)用設(shè)計(jì)大為簡化；使用標(biāo)準(zhǔn)的硅MOSFET驅(qū)動器也可以很容易地驅(qū)動它們。

Nexperia氮化鎵戰(zhàn)略營銷總監(jiān)Dilder Chowdhury表示：“客戶需要導(dǎo)通電阻RDS(on)為30-40mΩ的650V新器件，以便實(shí)現(xiàn)經(jīng)濟(jì)高效的高功率轉(zhuǎn)換。相關(guān)的應(yīng)用包括電動汽車的車載充電器、高壓DC-DC直流轉(zhuǎn)換器和發(fā)動機(jī)牽引逆變器; 以及1.5-5kW鈦金級的工業(yè)電源，比如，機(jī)架裝配的電信設(shè)備、5G設(shè)備和數(shù)據(jù)中心相關(guān)設(shè)備。Nexperia持續(xù)投資氮化鎵開發(fā)，并采用新技術(shù)擴(kuò)充產(chǎn)品組合。首先為功率模塊制造商提供了傳統(tǒng)的TO-247封裝器件和裸芯片，并隨后提供我們高性能的CCPAK貼片封裝的器件�！�


產(chǎn)品特點(diǎn)


新的氮化鎵技術(shù)采用了貫穿外延層的過孔，減少了缺陷并且芯片尺寸可縮小約24%。TO-247封裝的新器件，導(dǎo)通電阻RDS(on)降低到僅41mΩ（最大值，25°C的典型值為35mΩ），同時具有高的柵級閥值電壓和低反向?qū)妷�。CCPAK封裝的新器件，將導(dǎo)通電阻值進(jìn)一步降低到39mΩ（最大值，25°C的典型值為33mΩ）。兩種封裝的新器件均符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，可滿足汽車應(yīng)用的要求。

CCPAK貼片封裝采用了創(chuàng)新的銅夾片封裝技術(shù)來代替內(nèi)部的封裝引線。這樣可以減少寄生損耗，優(yōu)化電氣和熱性能，并提高可靠性。CCPAK封裝的氮化鎵器件提供頂部或底部散熱兩種配置，使其更通用，并有助于進(jìn)一步改善散熱。


供貨與報價


650V TO-247封裝的GAN041-650WSB和CCPAK封裝的GAN039-650NBB目前均可提供樣品。

查詢進(jìn)一步信息，請?jiān)L問官方網(wǎng)站http://www.nexperia.cn/gan-fets。（Lisa WU, 365PR Newswire）    （完）