【產(chǎn)通社，10月27日訊】聯(lián)華電子（UMC）消息：通過(guò)在研發(fā)上持續(xù)的承諾與努力，公司已經(jīng)成功產(chǎn)出晶圓代工業(yè)第一個(gè)全功能28納米制程SRAM芯片，此芯片是建立于聯(lián)華電子自行開發(fā)的低漏電（low-leakage, LL）制程之上。聯(lián)華電子采用先進(jìn)的雙重曝影（double-patterning）浸潤(rùn)式微影術(shù)與應(yīng)變硅工程來(lái)生產(chǎn)此芯片，極小六晶體管SRAM組件尺寸約為0.122um2。
聯(lián)華電子針對(duì)不同的市場(chǎng)應(yīng)用產(chǎn)品，在28納米制程上使用兩種閘極技術(shù)。其中，針對(duì)低漏電制程采用傳統(tǒng)硅閘極/氮氧化硅閘極氧化層技術(shù)，對(duì)于可攜式應(yīng)用產(chǎn)品例如手機(jī)芯片來(lái)說(shuō)是非常理想的選擇。另一方面，針對(duì)著重速度的產(chǎn)品例如繪圖、應(yīng)用處理器與高速通訊芯片，聯(lián)華電子采用高介電系數(shù)閘電介質(zhì)(high-k gate dielectric)/金屬閘極(metal gate)之先進(jìn)閘極技術(shù)。
聯(lián)華電子的40納米制程用于12吋晶圓廠生產(chǎn)，而28納米制程較40納米制程提供近兩倍的密度。聯(lián)華電子同時(shí)根據(jù)28納米制程平臺(tái)，亦將針對(duì)32納米客制化制程提供晶圓專工服務(wù)。未來(lái)，聯(lián)華電子研發(fā)重點(diǎn)會(huì)集中在供應(yīng)電壓極小化、應(yīng)變效應(yīng)之模型與自然良率上。
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