【產(chǎn)通社，8月1日訊】安森美半導(dǎo)體公司（ON Semiconductor Corporation；NASDAQ股票代碼：ON）官網(wǎng)消息，其NXH40B120MNQ系列全SiC功率模塊適用于太陽(yáng)能逆變器應(yīng)用，已被全球領(lǐng)先的電源和熱管理方案供應(yīng)商臺(tái)達(dá)選用，用于支持其M70A三相光伏組串逆變器。

安森美半導(dǎo)體先進(jìn)電源分部高級(jí)副總裁Asif Jakwani說(shuō)：“碳化硅技術(shù)有潛力變革能源市場(chǎng)。安森美半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)的全SiC集成功率模塊解決了太陽(yáng)能逆變器在提升功率水平下對(duì)更高系統(tǒng)能效的需求，并證實(shí)SiC技術(shù)的成熟�！�

臺(tái)達(dá)光伏逆變器事業(yè)部主管Raymond Lee說(shuō)：“我們專注于提供創(chuàng)新、清潔和節(jié)能的方案，以打造更美好的明天，我們一直在尋求與可幫助我們實(shí)現(xiàn)最高能效、減小產(chǎn)品體積和重量并滿足全球太陽(yáng)能光伏市場(chǎng)需求的供應(yīng)商合作。選用安森美半導(dǎo)體的全SiC功率模塊用于我們的M70A 70kW三相光伏組串逆變器，因?yàn)樗鼈兲峁┩愖罴训男阅�，再結(jié)合我們?cè)诟吣苄щ娏﹄娮宇I(lǐng)域的獨(dú)特專知，使我們的產(chǎn)品能實(shí)現(xiàn)高達(dá)98.8%的峰值能量轉(zhuǎn)換能效�！�

  
應(yīng)用特點(diǎn)


NXH40B120MNQ系列全SiC功率模塊集成了一個(gè)1200V、40mΩ SiC MOSFET和具有雙升壓級(jí)的1200V，40A SiC升壓二極管。 SiC技術(shù)的使用提供了實(shí)現(xiàn)太陽(yáng)能逆變器等應(yīng)用中所要求高能效水平所需的低反向恢復(fù)和快速開(kāi)關(guān)特性。

作為安森美半導(dǎo)體不斷增長(zhǎng)的基于寬禁帶（WBG）技術(shù)的功率集成模塊（PIM）陣容的一員，NXH40B120MNQ集成度高，引腳分配針對(duì)逆變器設(shè)計(jì)進(jìn)行了優(yōu)化。通過(guò)使用SiC器件，功率模塊提供低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗，從而支持使用更高的開(kāi)關(guān)頻率，有助于提高逆變能效。這些模塊易于使用，可根據(jù)客戶的喜好，采用無(wú)焊壓合連接和客戶定義的熱接口選項(xiàng)。

NXH40B120MNQ全SiC電源模塊有2通道和3通道版本，還有2通道模塊NXH80B120MNQ0，集成了一個(gè)1200V、80mΩ SiC MOSFET和1200V、20A SiC二極管。


供貨與報(bào)價(jià)


查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)官方網(wǎng)站http://www.onsemi.cn。（Lisa WU, 365PR Newswire）    （完）