【產(chǎn)通社，8月21日訊】英特爾公司（Intel Corporation；NASDAQ股票代碼：INTC）官網(wǎng)消息，其首席架構(gòu)師Raja Koduri在2020年架構(gòu)日上，詳細(xì)介紹了英特爾在創(chuàng)新的六大技術(shù)支柱戰(zhàn)略所取得的進(jìn)展。英特爾推出了10納米SuperFin技術(shù)，這是該公司有史以來最為強(qiáng)大的單節(jié)點(diǎn)內(nèi)性能增強(qiáng)，帶來的性能提升可與全節(jié)點(diǎn)轉(zhuǎn)換相媲美。

該公司還公布了Willow Cove微架構(gòu)和用于移動(dòng)客戶端的Tiger Lake SoC架構(gòu)細(xì)節(jié)，并首次介紹了可實(shí)現(xiàn)全擴(kuò)展的Xe圖形架構(gòu)。這些創(chuàng)新的架構(gòu)可服務(wù)于消費(fèi)類、高性能計(jì)算以及游戲應(yīng)用市場。基于英特爾的“分解設(shè)計(jì)”方式，結(jié)合先進(jìn)的封裝技術(shù)、XPU產(chǎn)品和以軟件為中心的戰(zhàn)略，英特爾的產(chǎn)品組合致力于為客戶提供領(lǐng)先的產(chǎn)品。
 
經(jīng)過多年對FinFET晶體管技術(shù)的改進(jìn)，英特爾正在重新定義該技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)其歷史上最強(qiáng)大的單節(jié)點(diǎn)內(nèi)性能增強(qiáng)，帶來的性能提升可與完全節(jié)點(diǎn)轉(zhuǎn)換相媲美。10nm SuperFin技術(shù)實(shí)現(xiàn)了英特爾增強(qiáng)型 FinFET晶體管與Super MIM（Metal-Insulator-Metal）電容器的結(jié)合。SuperFin技術(shù)能夠提供增強(qiáng)的外延源極/漏極、改進(jìn)的柵極工藝和額外的柵極間距，并通過以下方式實(shí)現(xiàn)更高的性能：
- 增強(qiáng)源極和漏極上晶體結(jié)構(gòu)的外延長度，從而增加應(yīng)變并減小電阻，以允許更多電流通過通道；
- 改進(jìn)柵極工藝以實(shí)現(xiàn)更高的通道遷移率，從而使電荷載流子更快地移動(dòng)；
- 提供額外的柵極間距選項(xiàng)可為需要最高性能的芯片功能提供更高的驅(qū)動(dòng)電流；
- 使用新型薄壁阻隔將過孔電阻降低了30%，從而提升了互連性能表現(xiàn)。

與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)相比，在同等的占位面積內(nèi)電容增加了5倍，從而減少了電壓下降，顯著提高了產(chǎn)品性能。該技術(shù)由一類新型的“高K”（ Hi-K）電介質(zhì)材料實(shí)現(xiàn)，該材料可以堆疊在厚度僅為幾埃厚的超薄層中，從而形成重復(fù)的“超晶格”結(jié)構(gòu)。這是一項(xiàng)行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的技術(shù)，領(lǐng)先于其他芯片制造商的現(xiàn)有能力。

10nm SuperFin技術(shù)將運(yùn)用于代號為“Tiger Lake”的英特爾下一代移動(dòng)處理器中。Tiger Lake正在生產(chǎn)中，OEM的產(chǎn)品將在假日季上市。

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