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應(yīng)用材料Sym3用于3D NAND、DRAM和代工廠的導(dǎo)體刻蝕
2020/8/23 13:03:43     

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【產(chǎn)通社,8月22日訊】應(yīng)用材料公司(Applied Materials;NASDAQ股票代碼:AMAT)官網(wǎng)消息,其大獲成功的Centris Sym3刻蝕產(chǎn)品系列再添新成員,F(xiàn)在,該系列產(chǎn)品能讓芯片制造商在尖端存儲器和邏輯芯片上以更加精細(xì)的尺寸成像和成型。

應(yīng)用材料公司半導(dǎo)體產(chǎn)品事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理Mukund Srinivasan博士表示:“應(yīng)用材料公司在2015年推出Sym3系統(tǒng)時采用了全新方法進(jìn)行導(dǎo)體刻蝕,并解決了3D NAND和DRAM中一些最棘手的刻蝕難題。今天,在最先進(jìn)的存儲器和代工廠邏輯節(jié)點中,關(guān)鍵刻蝕和極紫外(EUV)圖形化應(yīng)用呈現(xiàn)出強(qiáng)勁的發(fā)展勢頭和增長。未來,我們將繼續(xù)升級并助力業(yè)界向下一代芯片設(shè)計演進(jìn)!


產(chǎn)品特點


新型Centris Sym3 Y是應(yīng)用材料公司最先進(jìn)的導(dǎo)體刻蝕系統(tǒng)。該系統(tǒng)采用創(chuàng)新射頻脈沖技術(shù)為客戶提供極高的材料選擇性、深度控制和剖面控制,使之能夠在3D NAND、DRAM和邏輯節(jié)點(包括FinFET和新興的環(huán)繞柵極架構(gòu))創(chuàng)建密集排列的高深寬比結(jié)構(gòu)。

Sym3系列成功的關(guān)鍵在于其獨特技術(shù)特征:高電導(dǎo)反應(yīng)腔架構(gòu)能夠提供特殊的刻蝕剖面控制,快速有效地排出每次晶圓工藝產(chǎn)生的刻蝕副產(chǎn)物。Sym3 Y系統(tǒng)采用保護(hù)關(guān)鍵腔體組件的專有新型涂層材料,擴(kuò)大了該成功架構(gòu)的優(yōu)勢,從而進(jìn)一步減少缺陷并提高良率。

Sym3刻蝕系統(tǒng)于2015年首次推出,如今已成為應(yīng)用材料公司歷史上最迅速大量占領(lǐng)市場的產(chǎn)品。時至今日,Sym3反應(yīng)腔出貨量達(dá)到了5000臺大關(guān)。

應(yīng)用材料公司的戰(zhàn)略是為客戶提供全新的材料成型和成像方法,以實現(xiàn)新型3D結(jié)構(gòu)并開辟繼續(xù)進(jìn)行2D微縮的新途徑,而Sym3系列正是實現(xiàn)這一戰(zhàn)略的關(guān)鍵產(chǎn)品。應(yīng)用材料公司采用獨特的化學(xué)氣相沉積(CVD)鍍膜技術(shù)對Sym3系統(tǒng)進(jìn)行協(xié)同優(yōu)化,讓客戶能夠增加3D NAND內(nèi)存器件中的層數(shù),并減少DRAM制造中四重成型所需的步驟數(shù)。應(yīng)用材料公司會將上述技術(shù)與其電子束檢測和審查技術(shù)一同部署,以加快研發(fā)并大規(guī)模實現(xiàn)行業(yè)最先進(jìn)節(jié)點的產(chǎn)量爬坡,從而幫助客戶改善芯片功耗、增強(qiáng)芯片性能、降低單位面積成本并加快上市時間(PPACt)。

每個Sym3 Y系統(tǒng)均包括多個刻蝕和等離子清潔晶圓工藝反應(yīng)腔,并由智能系統(tǒng)控制可確保每個反應(yīng)腔都擁有一致的性能,從而實現(xiàn)穩(wěn)定的工藝和高生產(chǎn)力。全球多家領(lǐng)先的NAND、DRAM和代工廠邏輯節(jié)點客戶都在使用這一新系統(tǒng)。


供貨與報價


查詢進(jìn)一步信息,請訪問官方網(wǎng)站http://www.appliedmaterials.com。(Lisa WU, 365PR Newswire)    (完)
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