【產(chǎn)通社，8月26日訊】湖北臺(tái)基半導(dǎo)體股份有限公司（R&D Electronics；股票代碼：300046）2020年半年度報(bào)告顯示，其通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新，積累了完整的具有自有知識(shí)產(chǎn)權(quán)的半導(dǎo)體產(chǎn)品設(shè)計(jì)和制造技術(shù)，掌握完整的前道（晶圓制程）技術(shù)、中道（芯片制程）技術(shù)、后道（封裝測(cè)試）技術(shù)。公司擁有48項(xiàng)專利技術(shù)（其中9項(xiàng)發(fā)明專利）和多項(xiàng)專有技術(shù)，近幾年主持和參與起草國(guó)家或行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)17項(xiàng)，公司建有3個(gè)省級(jí)科研平臺(tái)和1個(gè)國(guó)家級(jí)科研平臺(tái)。

目前，公司大功率IGBT已經(jīng)量產(chǎn)，并積極開展產(chǎn)學(xué)研合作，持續(xù)跟蹤SiC、GaN等第三代寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)和應(yīng)用。公司具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的大功率半導(dǎo)體脈沖開關(guān)技術(shù)達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平，在國(guó)內(nèi)重大前沿科技項(xiàng)目得到應(yīng)用，呈現(xiàn)快速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。

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