【產通社，10月24日訊】東芝電子元件及存儲裝置株式會社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation）官網消息，其TW070J120B新款1200V碳化硅（SiC）MOSFET面向工業(yè)應用（包括大容量電源），目前已經開始出貨。


產品特點


該功率MOSFET采用碳化硅（SiC）這種新材料，與常規(guī)的硅（Si）MOSFET、IGBT產品相比，具有高耐壓、高速開關和低導通電阻特性，有利于降低功耗，精簡系統。

新產品采用了可提高碳化硅MOSFET可靠性的東芝第二代芯片設計生產，實現了輸入電容低、柵輸入電荷低、漏源導通電阻低等特性。與東芝推出的1200V硅絕緣柵雙極晶體管（IGBT）GT40QR21相比，TW070J120B關斷開關損耗降低80%左右，開關時間（下降時間）縮短大約70%，并且能夠在不超過20A[2]的漏極電流下提供低導通電壓。

它的柵閾值電壓被設置在4.2-5.8V的較高電壓范圍內，有助于減少故障風險（意外開啟或關閉）。此外，內置的具有低正向電壓的碳化硅肖特基勢壘二極管（SBD）也有助于降低功率損耗。

在大容量AC-DC轉換器、光伏逆變器、大容量雙向DC-DC轉換器等工業(yè)應用中，這種新型MOSFET不僅將通過降低功率損耗來達到提高效率的目的，而且也將為縮小設備尺寸做出貢獻。


供貨與報價


查詢進一步信息，請訪問官方網站http://toshiba-semicon-storage.com/cn/top.html。（Lisa WU, 365PR Newswire）     （完）