【產(chǎn)通社，10月28日訊】派恩杰半導(dǎo)體（杭州）有限公司（PN Junction Semiconductor）官網(wǎng)消息，其國內(nèi)首款1700V, 3Ω SiC MOSFET P3M173K0K3，最大導(dǎo)通電流(Ids_max)為2A。針對高壓輔助電源應(yīng)用而開發(fā)，具有較高的耐壓，極低的柵極電荷，較小的導(dǎo)通電阻Rds(on), 使其廣泛適用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動、光伏、直流充電樁、儲能變換器器，以及UPS等三相功率變換系統(tǒng)中輔助電源設(shè)計(jì)，可以提高輔助電源系統(tǒng)效率、簡化驅(qū)動電路設(shè)計(jì)，降低散熱成本，大幅度減少輔助開關(guān)電源成本。


產(chǎn)品特點(diǎn)


工業(yè)三相供電（400-690VAC）的功率變換系統(tǒng)，其母線電壓通常高于600V，母線電壓范圍在300-1000Vdc。為了給系統(tǒng)中的控制器、顯示器、風(fēng)扇以及保護(hù)供電，通常需要從高壓母線取電，輸出小功率5-24V直流給輔助設(shè)備供電。由于母線電壓通常大于600V，因此輔助電源需要采用2個(gè)800V Si MOS構(gòu)成的雙管反激電路，而采用1700V SiC MOS由于可以耐更高的電壓，更小的Rds(on)，可以采用1個(gè)SiC MOS構(gòu)成更為簡單的反激電路實(shí)現(xiàn)，從而大幅減小了元器件數(shù)量，設(shè)計(jì)更簡單，驅(qū)動設(shè)計(jì)更容易，縮短開發(fā)周期，因此可以用于300-1000V輸入的反激式拓?fù)渲小?BR>
SiC MOS由于具有更小的開關(guān)損耗，這可使客戶可以直接將裝置通過散熱片安裝在PCB上，無需風(fēng)冷散熱，這極大減少了制造成本，提高了系統(tǒng)的可靠性。與使用硅器件相比，更小的損耗同時(shí)意味著可以工作在更高的開關(guān)頻率，從而減小電源體積和重量，有助于工業(yè)設(shè)備實(shí)現(xiàn)顯著小型化、高可靠性和節(jié)能化。
 
采用1700V SiC MOS P3M173K0K3，派恩杰推出65W高壓輔助電源解決方案，規(guī)格如下：
- 輸入電壓: 寬電壓范圍 300Vdc -1000Vdc
- 輸出電壓: 24Vdc/2.7A
- 工作頻率: 100KHZ
- 拓?fù)? 單端反激式  

派恩杰PNJ方案相對普通Si MOSFET方案性能上有不少的提升，300V滿載下效率提升將近4%。與國外競爭產(chǎn)品相比，PNJ推出1700V，3Ω的SiC MOS效率可以和ROHM 1700V，1Ω SiC MOS SCT2H12NZ達(dá)到相同水平。考慮到高壓輔助電源，輸入電流通常較小，導(dǎo)通損耗占比較小，開關(guān)損耗主導(dǎo)。派恩杰通過優(yōu)化寄生電容，從而獲得更小的開關(guān)損耗，采用較大的Rds(on)即可獲得與國外競品相同的效率。較大的Rds(on)，可以采用更小的芯片面積，從而降低SiC生產(chǎn)成本，獲得價(jià)格優(yōu)勢。


供貨與報(bào)價(jià)


查詢進(jìn)一步信息，請?jiān)L問官方網(wǎng)站http://www.pnjsemi.com/newsinfo/2278353.html。（Robin Zhang, 張底剪報(bào)）    （完）