【產(chǎn)通社，11月3日訊】Transphorm公司（OTCQB股票代碼：TGAN）官網(wǎng)消息，其GaN平臺在實際應用中的失效率（FIT）低于每十億小時1次故障——這是一種非常高的可靠性。以上FIT計算的依據(jù)來自大約250MW安裝量中累積的逾100億（10B）個現(xiàn)場工作小時。 

Transphorm器件如今已廣泛應用于65W至3kW的各種應用。例如，智能手機和筆記本電腦的通用快速充電適配器；各種耐用型工業(yè)電源模塊；以及符合歐洲議會和理事會（ErP: Directive 2009/125/Ec）高能效生態(tài)設計要求的1.5-3.0kW鈦級數(shù)據(jù)中心電源。 

碳化硅（SiC）功率器件是一種替代的功率轉(zhuǎn)換解決方案，相比GaN功率解決方案更加成熟。與Transphorm GaN的100億小時相比，SiC由于商用時間更早而擁有超過一萬億小時的現(xiàn)場運行時間。但最近的報告表明，SiC的現(xiàn)場故障FIT為4.11，而Transphorm GaN迄今為止的FIT<1，這一對比顯示了后者卓越的現(xiàn)場可靠性。 

外在可靠性也稱為早期壽命失效（ELF）或早期失效期（Infant Mortality），是通過制造商內(nèi)部分析來確定的——確定可能導致器件失效的材料、設計和工藝控制缺陷。而“現(xiàn)場故障率”度量的是客戶生產(chǎn)系統(tǒng)中發(fā)生故障的器件數(shù)量與銷售器件總數(shù)之比。 

在評估FIT時，需要研究以上兩個指標——ELF和現(xiàn)場故障率。這兩個比率的收斂意味著半導體制造商的內(nèi)部可靠性評估是準確的；客戶可以相信所報告的器件性能水平。 

2019年1月，Transphorm宣布現(xiàn)場故障FIT為3.1。在2019年晚些時候，現(xiàn)場故障FIT降至2.2�，F(xiàn)在，Transphorm的現(xiàn)場故障FIT小于1，進一步接近其當前0.612的ELF FIT。 

對于客戶而言，了解技術的ELF統(tǒng)計數(shù)據(jù)對于控制保修申請至關重要。Transphorm在測量其早期壽命失效率時遵循JEDEC的JESD74A標準中定義的標準行業(yè)慣例。為確保提供保守的結果，Transphorm對其器件進行了最大額定峰值和85°C的適當使用溫度測試。盡管JEDEC標準要求進行早期壽命失效率測試，但通常只有硅器件制造商報告該數(shù)據(jù)——大多數(shù)GaN和SiC電力電子制造商則沒有提供。 

Transphorm質(zhì)量和可靠性副總裁Ron Barr表示：“據(jù)我們所知，Transphorm是目前唯一一家報告ELF的高壓GaN半導體公司。我們知道，客戶在比較寬能隙技術時需要特定的信息，所以我們希望對此保持透明。在準確性方面，正如我們經(jīng)�？吹降哪菢�，不同廠家對可靠性數(shù)據(jù)使用不同的計算方式或以不同尋常的方式加以處理，但仍作為同一指標類型進行報告。鑒于這種趨勢，我們的客戶教育工作著重在于說明，關鍵業(yè)務指標的證明必須使用合理的方法，以及這么做的原因�！� 

Transphorm對業(yè)界進行了最有效的Q+R測試方法以及如何對結果進行解釋的教育，以確保客戶獲得準確的可靠性數(shù)據(jù)以進行關鍵業(yè)務決策。

查詢進一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.transphormchina.com。（Lisa WU, 365PR Newswire）    （完）