【產(chǎn)通社，11月14日訊】信越化學(xué)工業(yè)株式會社（Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.；東京證券交易所股票代碼：4063）官網(wǎng)消息，其已經(jīng)與美國Qromis, Inc.就GaN（氮化鎵）基板相關(guān)技術(shù)簽訂專利許可協(xié)議，并正式開發(fā)GaN基板及相關(guān)產(chǎn)品。

信越化學(xué)與生產(chǎn)半導(dǎo)體硅晶圓的子公司信越半導(dǎo)體面向功率半導(dǎo)體和高頻半導(dǎo)體，在通常的硅晶圓之外，共同開發(fā)及銷售Silicon on Insulator（SOI）晶圓及GaN on Silicon晶圓等的基板。在進(jìn)一步擴大這些產(chǎn)品系列的同時，利用Qromis公司的技術(shù)，完善GaN基板及相關(guān)產(chǎn)品的系列產(chǎn)品，通過提供多種解決方案，滿足客戶的要求。

利用GaN的半導(dǎo)體，作為可解決電動汽車等移動性的進(jìn)化、5G及數(shù)字化等所要求的高器件性能和節(jié)能等相矛盾課題的器件，今后可期需求進(jìn)一步得到擴大。

以信越化學(xué)及信越半導(dǎo)體為首的信越集團(tuán)，通過供應(yīng)大口徑GaN相關(guān)產(chǎn)品，將對時代的要求——實現(xiàn)可有效利用能源的可持續(xù)發(fā)展的社會——作出貢獻(xiàn)。

查詢進(jìn)一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.shinetsu.co.jp/cn。（張怡, 產(chǎn)通發(fā)布）    （完）