【產(chǎn)通社，12月5日訊】Transphorm公司（OTCQB股票代碼：TGAN）官網(wǎng)消息，其供應(yīng)SuperGaN自主品牌旗下的首款Gen V器件的樣品。新型Gen V器件TP65H015G5WS瞄準電動汽車（EV）市場，提供SuperGaN器件系列行業(yè)領(lǐng)先的固有性能增強、易設(shè)計性和優(yōu)化的成本結(jié)構(gòu)。

2020年3月，汽車行業(yè)全球領(lǐng)先的獨立供應(yīng)商之一Marelli與Transphorm建立戰(zhàn)略合作關(guān)系，合作開發(fā)基于GaN的新型汽車/EV功率轉(zhuǎn)換解決方案，包括適用于電動及混合動力汽車的車載充電器（OBC）、DC-DC轉(zhuǎn)換器和動力系統(tǒng)變頻器。到目前為止，Marelli已向Transphorm做出400萬美元的股權(quán)投資，并承諾在2021年第一季度追加100萬美元的股權(quán)投資。 

Marelli電動動力系統(tǒng)首席執(zhí)行官Joachim Fetzer博士評論道：“Transphorm驗證并實現(xiàn)了采用電橋配置的分立封裝GaN器件的功率可達10千瓦，這進一步印證了GaN用于電動汽車轉(zhuǎn)換器和變頻器的令人興奮的前景。作為我們此前宣布的合作關(guān)系的一部分，我們將繼續(xù)對Transphorm業(yè)界領(lǐng)先的GaN器件進行評估，并合力為EV系統(tǒng)產(chǎn)品多年路線圖提供支持。” 

Transphorm聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席運營官Primit Parikh表示：“我們不斷革新Transphorm的SuperGaN FET技術(shù)，現(xiàn)在能夠以市面上標準的TO-247-3封裝提供世界上最低的導(dǎo)通電阻，同時瞄準電動汽車及其他更高功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。這使客戶能夠通過單臺設(shè)備將功率提高到兩位數(shù)千瓦，從而繼續(xù)證明GaN具有提供更高性能、更低系統(tǒng)成本和更高功率密度的能力。我們的Gen V GaN平臺為以前需要并聯(lián)的功率電平創(chuàng)造了新的設(shè)計機會，同時仍能提供超過99%的效率。” 


產(chǎn)品特點


SuperGaN Gen V FET是一款電阻15mΩ、電壓650V的器件，由于其柵極靈敏度，當下流行的單芯片e-mode GaN技術(shù)在此器件中不可用。該解決方案與采用分立封裝的典型SiC MOSFET的最低電阻（R）相當，能夠根據(jù)目標應(yīng)用驅(qū)動10kW以上的功率，例如EV OBC和動力系統(tǒng)逆變器、機架式數(shù)據(jù)中心服務(wù)器的電源、不間斷工業(yè)電源應(yīng)用及可再生光伏逆變器。

TP65H015G5WS也將用于裸片級封裝模塊解決方案，后者能夠進一步并聯(lián)以實現(xiàn)更高的功率。該公司預(yù)計其Gen V FET器件將在2021年年中獲得JEDEC認證，此后也有望獲得AEC-Q101認證。

值得一提的是，該公司的Gen V GaN解決方案提供世界上最低的封裝導(dǎo)通電阻，并且與采用標準TO-247-3封裝的碳化硅（SiC）相比功耗降低了25%，從而提升GaN在EV功率轉(zhuǎn)換市場上的潛力。 

SuperGaN Gen V平臺融合了其上一代Gen IV的所有經(jīng)驗、獲專利的減小封裝電感技術(shù)、易于設(shè)計性和可驅(qū)動性（4V的Vth，以實現(xiàn)抗擾性）和+/-20Vmax的柵極穩(wěn)健性，以及簡化縮小的裝配結(jié)構(gòu)。在《電子工程世界》（EEWorld）上發(fā)表的“突破高壓GaN功率轉(zhuǎn)換極限”最新文章中，該公司的TP65H015G5WS與采用標準TO-247-3封裝、導(dǎo)通電阻類似的尖端SiC MOSFET進行了比較。這兩款器件在半橋同步升壓轉(zhuǎn)換器中均以70kHz的頻率運行，最高功率為12kW，而得出的結(jié)果是Transphorm的GaN器件的功耗低25%。 


供貨與報價


Transphorm已開始供應(yīng)SuperGaN Gen V FET的樣品。查詢進一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.transphormchina.com。（Lisa WU, 365PR Newswire）    （完）