【產(chǎn)通社，12月9日訊】東莞銘普光磁股份有限公司（Dongguan Mentech Optical & Magnetic；股票代碼：002902）消息，其近日取得中華人民共和國(guó)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局頒發(fā)的《一種光模塊參數(shù)配置方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)》發(fā)明專利證書(shū)，證書(shū)號(hào)第4084859號(hào)，專利號(hào)ZL201811603013.2，專利申請(qǐng)日2018年12月26日，授權(quán)公告日2020年11月10日，專利權(quán)期限20年（自申請(qǐng)日起算）。

本發(fā)明公開(kāi)了一種光模塊參數(shù)配置方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，包括：將光模塊放置在高溫環(huán)境下，當(dāng)MCU溫度指針達(dá)到目標(biāo)工作溫度時(shí)，調(diào)節(jié)激光器核心溫度值、偏壓電流值和VEA值，使光模塊的光功率、消光比、通道代價(jià)滿足目標(biāo)值；以光模塊中MCU溫度指針為索引，根據(jù)服務(wù)器上預(yù)先存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)庫(kù)中激光器核心溫度值、VEA值與調(diào)節(jié)后的激光器核心溫度值、VEA值的對(duì)應(yīng)關(guān)系，動(dòng)態(tài)更新本地?cái)?shù)據(jù)庫(kù)中激光器核心溫度值、VEA值；在常溫和低溫下分別測(cè)試光模塊的光功率、消光比和通道代價(jià)，若性能正常，則完成參數(shù)配置。

本申請(qǐng)通過(guò)上述步驟將帶EML激光器的光模塊在高溫調(diào)試和常溫低溫測(cè)試，即能制作成品率高和合格率高的產(chǎn)品。

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