【產(chǎn)通社，12月18日訊】VisIC Technologies Ltd消息，其8毫歐姆D3GaN功率開(kāi)關(guān)管針對(duì)電動(dòng)汽車(chē)逆變器應(yīng)用，將有助于提高電機(jī)控制器效率，降低整機(jī)制造成本。新的8毫歐姆產(chǎn)品是汽車(chē)高壓應(yīng)用氮化鎵（GaN）器件，支持客戶和改進(jìn)電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。

VisIC市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)高級(jí)副總裁蘭·索弗先生說(shuō)，“與VisIC上一代產(chǎn)品相比，V8產(chǎn)品將當(dāng)前功率提高了一倍，電阻降低了2.5倍。這將使我們的電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用客戶改進(jìn)其逆變器系統(tǒng)，在尺寸、功率和成本方面更高效地實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)目標(biāo)。V8產(chǎn)品是我們長(zhǎng)期努力提供基于D3GaN技術(shù)更好解決方案的又一進(jìn)步。新產(chǎn)品的改進(jìn)工作是和我們領(lǐng)先的客戶密切合作完成的，為電動(dòng)汽車(chē)的核心電氣驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)帶來(lái)有意義的改進(jìn)，高功率牽引逆變器應(yīng)用也可以此實(shí)現(xiàn)更高的功率密度�！�


產(chǎn)品特點(diǎn)


新產(chǎn)品的額定參數(shù)為8毫歐姆、650V、200A vailable，與同類(lèi)IGBT或SiC器件相比，在相同電流范圍內(nèi)可實(shí)現(xiàn)顯著降低的開(kāi)關(guān)損耗�？蛻艨梢詫⒃撔庐a(chǎn)品集成到分立封裝和功率模塊設(shè)計(jì)中。這項(xiàng)新技術(shù)可節(jié)省功率損耗，特別是在大電流電動(dòng)汽車(chē)逆變器系統(tǒng)的功率循環(huán)測(cè)試中。

與現(xiàn)有的硅晶圓技術(shù)相比較，對(duì)于寬禁帶器件SiC和GaN來(lái)說(shuō)，制造更大電流的裸芯片非常有挑戰(zhàn)。由于D3 GaN平臺(tái)的精心設(shè)計(jì)，以及VisIC公司制造合作伙伴臺(tái)積電的卓越制造，使得200A GaN功率晶體管的突破成為可能。這一突破將使電動(dòng)汽車(chē)受益于GaN的高效技術(shù)，實(shí)現(xiàn)更具成本效益的電動(dòng)汽車(chē)設(shè)計(jì)，助力于更綠色和清潔的地球。


供貨與報(bào)價(jià)


查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)官方網(wǎng)站http://www.visic-tech.com。（張怡，產(chǎn)通發(fā)布）    （完）