【產(chǎn)通社，12月31日訊】電子科技大學(xué)（University of Electronic Science and Technology of China, UESTC）官網(wǎng)消息，2020 IEEE國際電子器件大會(huì)（International Electron Devices Meeting，IEDM）12月12-18日在美國舊金山通過線上召開。電子科學(xué)與工程學(xué)院（示范性微電子學(xué)院）功率集成技術(shù)實(shí)驗(yàn)室（PITEL）在大會(huì)上發(fā)表題為《An Improved Model on Buried-Oxide Damage for Total-Ionizing-Dose Effect on HV SOI LDMOS》的論文。博士生袁章亦安為論文第一作者，喬明教授為通訊作者，張波教授為共同作者。

抗輻射高壓SOI LDMOS器件，因其易于集成、低損耗、開關(guān)速度快等優(yōu)勢，被認(rèn)為在航天電子系統(tǒng)等所需高壓功率集成電路應(yīng)用中具有巨大潛力。該工作報(bào)道了負(fù)電場下總劑量輻射效應(yīng)導(dǎo)致的埋氧層的上界面損傷，得到場值與界面損傷電荷的數(shù)值關(guān)系，修正了傳統(tǒng)電離輻射總劑量損傷模型。在TCAD仿真軟件中引入該改進(jìn)模型，于SOI器件界面位置引入相應(yīng)的電荷量，可精準(zhǔn)預(yù)測高壓SOI LDMOS器件輻射后的退化行為。實(shí)驗(yàn)獲得的抗輻射高壓SOI LDMOS器件在關(guān)態(tài)偏置條件下具有500krad（Si）的抗輻照水平。受會(huì)議程序委員會(huì)主席Tibor Grasser邀請，該論文的擴(kuò)展版本將發(fā)表在電子器件領(lǐng)域權(quán)威期刊IEEE Transaction on Electron Devices的Special issue上。

具有六十多年歷史的IEEE IEDM是微電子器件領(lǐng)域的頂級會(huì)議，在國際半導(dǎo)體技術(shù)界享有崇高的學(xué)術(shù)地位和廣泛的影響力，被外媒譽(yù)為“微電子器件領(lǐng)域的奧林匹克盛會(huì)”。該會(huì)議主要報(bào)道國際半導(dǎo)體技術(shù)方面的最新研究進(jìn)展，是國際著名高校、研發(fā)機(jī)構(gòu)和英特爾、臺(tái)積電、三星、IBM等企業(yè)報(bào)告其最新研究成果和技術(shù)突破的主要窗口和平臺(tái)，近年來，集成電路技術(shù)領(lǐng)域的許多重大技術(shù)突破都是通過該會(huì)議正式發(fā)布。功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的頂級國際學(xué)術(shù)會(huì)議 IEEE ISPSD（IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs）就是從IEDM會(huì)議中分離出來的。

功率半導(dǎo)體器件與集成技術(shù)是電子科技大學(xué)微電子領(lǐng)域的特色學(xué)科方向，是電子科技大學(xué)電子薄膜與集成器件國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的三大主要學(xué)術(shù)研究方向之一，為四川省功率半導(dǎo)體技術(shù)工程研究中心主體研究內(nèi)容，也是電子科技大學(xué)集成電路研究中心的重要組成部分。

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