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Intel和Micron開始量產(chǎn)34納米NAND閃存
2008/11/29 20:11:54     

【產(chǎn)通社,11月28日訊】英特爾公司(Intel)和美光科技股份有限公司(Micron Technology)聯(lián)合開發(fā)的34納米、32Gb多級(jí)單元(MLC)NAND閃存設(shè)備投入量產(chǎn)。該產(chǎn)品由雙方成立的NAND閃存合資企業(yè)IM Flash Technologies公司(IMFT)開發(fā)、生產(chǎn),這是目前市場(chǎng)上最先進(jìn)的工藝技術(shù),實(shí)現(xiàn)了業(yè)界唯一的單塊32Gb NAND芯片,而且芯片的大小適合采用標(biāo)準(zhǔn)的48lead TSOP封裝。
 
這款34納米、32Gb芯片是以300mm晶圓制造的。芯片面積僅有172mm²,比拇指指甲還。辉撔酒瑢⒁愿咝詢r(jià)比,在數(shù)字相機(jī)、個(gè)人音樂播放器、數(shù)字相機(jī)等小尺寸應(yīng)用產(chǎn)品中實(shí)現(xiàn)高密度的固態(tài)儲(chǔ)存。此外,這款芯片還可用于性價(jià)比更高的固態(tài)硬盤,從而大幅提高這類硬盤現(xiàn)有的儲(chǔ)存容量。

按計(jì)劃,兩家公司將于2009年初開始采用34納米工藝技術(shù)生產(chǎn)較低密度的多級(jí)單元(MLC)和單級(jí)單元(SLC)產(chǎn)品樣件。

查詢進(jìn)一步信息,請(qǐng)?jiān)L問http://www.micron.com/about/news/pressrelease.aspx?id=92181CC7EFA2B68E。

    (完)
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