【產(chǎn)通社，1月21日訊】意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics；NYSE股票代碼：STM）官網(wǎng)消息，其基于MasterGaN平臺的創(chuàng)新優(yōu)勢推出了MasterGaN2，作為新系列雙非對稱氮化鎵（GaN）晶體管的首款產(chǎn)品，是一個適用于軟開關(guān)有源鉗位反激拓?fù)涞腉aN集成化解決方案。


產(chǎn)品特點(diǎn)


兩個650V常關(guān)型GaN晶體管的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）分別是150mΩ和225mΩ，每個晶體管都集成一個優(yōu)化的柵極驅(qū)動器，使GaN晶體管像普通硅器件一樣便捷易用。集成了先進(jìn)的驅(qū)動功能和GaN本身固有性能優(yōu)勢，MasterGaN2可進(jìn)一步提升有源鉗位反激式變換器等拓?fù)潆娐返母吣苄�、小體積和輕量化優(yōu)勢。

MasterGaN電力系統(tǒng)級封裝（SiP）系列在同一封裝中整合兩個GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）和配套的高壓柵極驅(qū)動器，并內(nèi)置了所有的必備的保護(hù)功能。設(shè)計人員可以輕松地將霍爾傳感器和DSP、FPGA或微控制器等外部設(shè)備直連MasterGaN器件。輸入兼容3.3-15V邏輯信號，有助于簡化電路設(shè)計和物料清單，允許使用更小的電路板，并簡化產(chǎn)品安裝。這種集成方案有助于提高適配器和快充充電器的功率密度。

GaN技術(shù)正在推進(jìn)USB-PD適配器和智能手機(jī)充電器向快充方向發(fā)展。意法半導(dǎo)體的MasterGaN器件可使這些充電器縮小體積80%，減重70%，而充電速度是普通硅基解決方案的三倍。

低邊欠壓鎖定（UVLO）、柵極驅(qū)動器互鎖、專用關(guān)閉引腳和過熱保護(hù)。9×9×1mm GQFN是為高壓應(yīng)用優(yōu)化的封裝，高低壓焊盤之間的爬電距離超過2mm。


供貨與報價


MasterGaN2現(xiàn)已量產(chǎn)。查詢進(jìn)一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.st.com/mastergan。（Lisa WU, 365PR Newswire）    （完）