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美光科技(Micron)針對(duì)嵌入式應(yīng)用推出串行NAND閃存
2008/12/4 7:24:46     

【產(chǎn)通社,12月4日訊】美光科技(Micron Technology)公司網(wǎng)站消息,隨著嵌入式系統(tǒng)的發(fā)展,WiMAX設(shè)備、機(jī)頂盒、打印機(jī)以及其他工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用產(chǎn)品過(guò)去只用來(lái)進(jìn)行信息譯碼,現(xiàn)在這些設(shè)備之中有更為尖端的操作系統(tǒng),用于管理多媒體、圖片和其他數(shù)據(jù)密集的內(nèi)容,因此也需要設(shè)備提供更大的儲(chǔ)存空間。

美光最新推出的串行NAND閃存的最低芯片密度為1Gb,客戶(hù)能夠輕松地在串行NOR閃存現(xiàn)有的儲(chǔ)存能力之外,以高性?xún)r(jià)比擴(kuò)充儲(chǔ)存容量;此外,美光的這款閃存還具有顯著的最低每位成本(cost-per-bit)優(yōu)勢(shì)。

美光串行NAND技術(shù)優(yōu)勢(shì)包括:
·兼容性:與產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的串行外圍接口(SPI)指令集兼容。
·最大限度增強(qiáng)功能:提供所需的密度,以最大限度提高系統(tǒng)功能,降低物料成本。使用者自建的內(nèi)容直接儲(chǔ)存到設(shè)備上,無(wú)需使用單獨(dú)的NAND芯片。
·速度更快:美光的串行NAND閃存的處理速度為2.64MB/s,寫(xiě)入速度比NOR閃存(不到0.5MB/s)更快。
·簡(jiǎn)約的設(shè)計(jì):去掉了外部適配卡插槽,因此降低了物料成本;并利用芯片上的錯(cuò)誤校正碼(ECC)來(lái)解決出廠(chǎng)原始NAND閃存衍生的復(fù)雜問(wèn)題。
·更安全:提供了只讀區(qū)和保護(hù)區(qū)塊鎖定,以避免設(shè)備上儲(chǔ)存的內(nèi)容遭到擅自更改。

美光的1Gb串行NAND技術(shù)現(xiàn)已推出試用產(chǎn)品,預(yù)計(jì)于2009年第一季投入量產(chǎn)。美光公司還計(jì)劃于2009年初推出密度更高的串行NAND閃存產(chǎn)品,容量將可達(dá)到4Gb。

查詢(xún)進(jìn)一步信息,請(qǐng)?jiān)L問(wèn)http://www.micron.com/about/news/index.aspx

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