【產(chǎn)通社，2月9日訊】中國科學(xué)院微電子研究所（Microelectronice of Chinese Academy of Sciences）官網(wǎng)消息，其先導(dǎo)中心殷華湘研究員的科研團(tuán)隊(duì)基于主流的體硅高κ/金屬柵FinFET工藝提出了一種利用拐角效應(yīng)，在鉆石形Fin溝道頂部尖端實(shí)現(xiàn)載流子局域化，并借助柵極兩邊側(cè)墻的電勢限制，構(gòu)建量子點(diǎn)器件結(jié)構(gòu)的方案。該器件在先導(dǎo)中心8吋工藝線研制成功，集成方案完全兼容主流通用的先進(jìn)CMOS工藝。在制備過程中，團(tuán)隊(duì)先后優(yōu)化了Fin刻蝕、淺槽隔離等關(guān)鍵工藝，并在高κ/金屬柵后柵工藝中利用氧化腐蝕的方法完成了襯底隔離的鉆石形硅Fin溝道形貌修飾。在20K低溫電學(xué)測試中，該器件展示了明顯的庫倫振蕩電流。通過對庫倫菱形穩(wěn)定圖的分析，證明該器件擁有較大的量子點(diǎn)充電能，具備了在傳統(tǒng)CMOS FinFET工藝中實(shí)現(xiàn)量子點(diǎn)規(guī)�；傻臐摿�。 

這一創(chuàng)新成果近期發(fā)表在《電氣和電子工程師協(xié)會電子器件學(xué)報(bào)》期刊上（IEEE Transactions on Electron Devices，DOI: 10.1109/TED.2020.3039734），微電子所博士生顧杰為該文第一作者。微電子所殷華湘研究員、張青竹副研究員為該文通訊作者。此項(xiàng)研究得到科技部、國家自然科學(xué)基金委、中科院的項(xiàng)目資助。

量子計(jì)算是未來信息技術(shù)發(fā)展的重要方向，在一些特定領(lǐng)域具有巨大的應(yīng)用潛力�；诠枇孔狱c(diǎn)的量子比特是實(shí)現(xiàn)通用量子計(jì)算最有前景的方案之一，具有較長的退相干時(shí)間和出色的CMOS制造工藝兼容性。目前，硅量子點(diǎn)量子計(jì)算正處于采用集成電路先進(jìn)制造工藝實(shí)現(xiàn)量子點(diǎn)規(guī)模集成并進(jìn)行量子比特?cái)U(kuò)展驗(yàn)證的關(guān)鍵研究階段。 

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