【產(chǎn)通社，12月9日】英特爾（Intel）公司網(wǎng)站消息，其下一代制造工藝可把芯片電路縮小至32納米，并將于2009年第四季度推出基于高能效、更密集的晶體管的產(chǎn)品。

英特爾公司將于下周在舊金山舉行的國際電子器件會議（IEDM）上披露32納米制程技術(shù)的相關(guān)細(xì)節(jié)及其它主題信息，這意味著其產(chǎn)品與制程發(fā)展計(jì)劃Tick-tock戰(zhàn)略再次得以成功實(shí)施。

Tick-tock戰(zhàn)略指英特爾每隔12個(gè)月將交替推出全新的處理器微架構(gòu)和領(lǐng)先的制程技術(shù)，這一獨(dú)特的發(fā)展模式推動了產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展。隨著明年32納米芯片的推出，這將是英特爾公司連續(xù)第四年實(shí)現(xiàn)Tick-tock戰(zhàn)略目標(biāo)。

英特爾即將發(fā)布的32納米論文及報(bào)告介紹了新的邏輯技術(shù)，融合了第二代高K金屬柵極技術(shù)、面向關(guān)鍵圖案形成層的193納米浸沒式光刻技術(shù)以及增強(qiáng)型溝道應(yīng)變技術(shù)。這些特性進(jìn)一步增強(qiáng)了英特爾處理器的性能和能效。與現(xiàn)有的其它32納米技術(shù)相比，英特爾的制程技術(shù)擁有業(yè)內(nèi)最高的晶體管性能和晶體管密度。

英特爾在IEDM上發(fā)表的其它論文涉及：一款低功率SoC版英特爾45納米制程；基于復(fù)合半導(dǎo)體的晶體管；提升45納米晶體管性能的襯底工程；為45納米和更高節(jié)點(diǎn)集成化學(xué)機(jī)械拋光；以及集成硅光電子調(diào)制器陣列。英特爾還將參與一個(gè)有關(guān)22納米CMOS技術(shù)的短期課程。
 
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