【產(chǎn)通社，2月26日訊】中國科學(xué)院（Chinese Academy of Sciences）官網(wǎng)消息，上海光學(xué)精密機(jī)械研究所薄膜光學(xué)實驗室在基于低溫等離子體增強原子層沉積的紫外減反射激光薄膜研究中取得新進(jìn)展，初步實現(xiàn)了紫外減反射薄膜的損傷閾值提升。相關(guān)研究成果近日發(fā)表在Journal of Alloys and Compounds上。

原子層沉積技術(shù)具有精確的厚度可控性、高均勻性、優(yōu)異的共形性和較高的激光損傷閾值，在激光薄膜領(lǐng)域具有良好前景。目前，通過熱原子層沉積制備高功率激光薄膜的嘗試主要集中在使用TiO2和Al2O3材料，或者HfO2和Al2O3材料制備近紅外減反射薄膜。利用原子層沉積技術(shù)制備紫外減反射薄膜的報道相對較少。大量的電子束激光薄膜研究結(jié)果表明，使用HfO2和SiO2材料能夠獲得更高激光損傷閾值的紫外減反射薄膜。然而，熱原子層沉積技術(shù)制備SiO2所需的沉積溫度較高，不利于HfO2層的抗激光損傷性能。

研究人員采用低溫等離子體增強原子層沉積技術(shù)，系統(tǒng)研究了SiO2和HfO2薄膜的激光相關(guān)性能。與HfO2薄膜相比，SiO2薄膜具有較低的雜質(zhì)含量與吸收，表現(xiàn)出更高的激光損傷閾值。這使得低溫等離子體增強原子層沉積的SiO2薄膜適合于紫外激光應(yīng)用。他們設(shè)計并采用低溫等離子體增強原子層沉積技術(shù)制備了一種應(yīng)用于355nm激光的雙層結(jié)構(gòu)HfO2/SiO2減反射薄膜。該減反射薄膜在355nm的實測反射率低于0.2%，激光損傷閾值（24.4J/cm2，脈寬7.8ns）高于電子束沉積減反膜薄膜（20.6J/cm2，脈寬7.8ns）。該項成果有望為紫外減反射薄膜的抗激光損傷性能提升提供新思路，豐富紫外減反射薄膜的制備技術(shù)。

相關(guān)工作得到了國家自然科學(xué)基金、中科院青年創(chuàng)新促進(jìn)會、上海市青年拔尖人才計劃、中科院戰(zhàn)略性先導(dǎo)科技專項等的支持。查詢進(jìn)一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.cas.cn/syky/202102/t20210222_4778455.shtml，以及http://doi.org/10.1016/j.jallcom.2020.157875。（張嘉汐，產(chǎn)通發(fā)布）    （完）