【產(chǎn)通社，4月7日訊】中國科學(xué)院微電子研究所（Microelectronice of Chinese Academy of Sciences）官網(wǎng)消息，中國集成電路創(chuàng)新聯(lián)盟3月20日組織召開了“2021集成電路產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新發(fā)展交流會”。由中國科學(xué)院微電子研究所和長江存儲科技有限責(zé)任公司聯(lián)合研發(fā)的兩款“128層3D NAND三維閃存芯片”（X2-9060和X2-6070）榮獲“IC創(chuàng)新獎”之“技術(shù)創(chuàng)新獎”。 

在國家科技重大專項02專項的支持下，微電子所與長江存儲長期產(chǎn)研合作，于2020年研發(fā)成功128層3D NAND三維閃存產(chǎn)品。該產(chǎn)品采用獨(dú)具創(chuàng)新的Xtacking技術(shù)，成功解決了存儲陣列與讀寫電路的分離加工和整合集成的技術(shù)難題，突破了傳統(tǒng)存儲器工藝瓶頸，產(chǎn)品存儲密度和最高數(shù)據(jù)吞吐速率均達(dá)到世界頂尖水平。

以Xtacking技術(shù)為核心的128層閃存產(chǎn)品的成功研發(fā)，標(biāo)志著我國已掌握具有自主知識產(chǎn)權(quán)的存儲器核心技術(shù)，在大容量非揮發(fā)存儲器產(chǎn)品研發(fā)領(lǐng)域達(dá)到與國際一流存儲器設(shè)計制造公司齊頭并進(jìn)水平，為實現(xiàn)高端閃存產(chǎn)品的全面國產(chǎn)化并參與國際市場競爭奠定了堅實的技術(shù)基礎(chǔ)。3D NAND閃存系列產(chǎn)品的成功推出，展現(xiàn)了國家科技重大專項的引領(lǐng)作用，通過加強(qiáng)國內(nèi)存儲芯片龍頭企業(yè)與科研院所的合作實現(xiàn)技術(shù)突破，帶動產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同發(fā)展，驅(qū)動集成電路全產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力的跨越升級。 

“技術(shù)創(chuàng)新獎”重點表彰在集成電路重大技術(shù)創(chuàng)新和關(guān)鍵技術(shù)開發(fā)方面取得重大突破的單位和團(tuán)隊。獎項采取“委員獨(dú)立”提名制并結(jié)合頂級權(quán)威專家“獨(dú)立評審”產(chǎn)生，含金量極高。128層三維存儲器成功獲獎，充分體現(xiàn)了國內(nèi)產(chǎn)研各界專家對我國自主研發(fā)的三維存儲器技術(shù)的持續(xù)關(guān)注和高度肯定。  

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