【產(chǎn)通社，4月9日訊】三星電子有限公司（Samsung Electronics；KRX韓國證券交易所股票代碼：005930.KS）官網(wǎng)消息，其已利用基于高介電常數(shù)金屬閘極（HKMG）工藝技術(shù)的512GB DDR5模塊擴(kuò)展了DDR5 DRAM存儲產(chǎn)品組合。新款DDR5的性能可達(dá)DDR4的兩倍以上，最高可達(dá)每秒7200Mbps，將能夠協(xié)調(diào)超級計(jì)算、人工智能（AI）和機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）中的高級計(jì)算需求和高帶寬工作負(fù)載，以及數(shù)據(jù)分析應(yīng)用程序。 

三星電子公司DRAM內(nèi)存規(guī)劃/啟用團(tuán)隊(duì)副總裁Sohn Young-Soo說，“三星有邏輯和內(nèi)存能力，能夠?qū)KMG優(yōu)質(zhì)邏輯技術(shù)整合到內(nèi)存產(chǎn)品開發(fā)中。通過將此類工藝創(chuàng)新引入DRAM制造，我們能夠?yàn)榭蛻籼峁└咝阅�、高能效的�?nèi)存解決方案，為醫(yī)療研究、金融市場、自動(dòng)駕駛、智能城市等所需的計(jì)算機(jī)提供動(dòng)力。” 

英特爾公司內(nèi)存和IO技術(shù)副總裁兼總經(jīng)理Carolyn Duran說，“隨著要移動(dòng)、存儲和處理的數(shù)據(jù)數(shù)量呈指數(shù)級增長，向DDR5的過渡處于云數(shù)據(jù)中心、網(wǎng)絡(luò)和邊緣部署的關(guān)鍵拐點(diǎn)。英特爾的工程團(tuán)隊(duì)與三星等內(nèi)存企業(yè)緊密合作，提供快速、節(jié)能的DDR5內(nèi)存，該內(nèi)存性能優(yōu)化，并與我們即將推出的代號為藍(lán)寶石激流（Sapphire Rapids）的英特爾Xeon可擴(kuò)展處理器兼容�！� 


產(chǎn)品特點(diǎn)


三星512GB容量DDR5模塊由8層硅通孔（TSV）結(jié)構(gòu)組成，HKMG材料可降低13%的能耗，同時(shí)其速度是第四代雙倍數(shù)據(jù)速率內(nèi)存（DDR4）的兩倍。

隨著DRAM結(jié)構(gòu)的不斷變小，絕緣層變薄，導(dǎo)致泄漏電流升高。通過使用HKMG材料替代絕緣體，三星DDR5將能夠減少泄漏，并在性能上達(dá)到新的高度。這種新內(nèi)存的功耗也將減少約13%，因此特別適合能源效率日益重要的數(shù)據(jù)中心。 

HKMG工藝于2018年在三星的GDDR6內(nèi)存中采用。通過擴(kuò)大其在DDR5中的使用，三星進(jìn)一步鞏固了其在下一代DRAM技術(shù)領(lǐng)域的地位。三星DDR5通過硅通孔（TSV）技術(shù)，將8層16Gb DRAM芯片堆疊起來，提供容量為512GB的芯片。TSV于2014年在DRAM中使用，當(dāng)時(shí)，三星推出了容量高達(dá)256GB的服務(wù)器模塊。 

三星目前正在對其DDR5內(nèi)存產(chǎn)品系列的不同變體進(jìn)行抽樣，以供客戶驗(yàn)證，并最終使用其優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品進(jìn)行認(rèn)證，以加速AI/ML、超大規(guī)模計(jì)算、分析、網(wǎng)絡(luò)和其他數(shù)據(jù)密集型工作負(fù)載。


供貨與報(bào)價(jià)


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