【產(chǎn)通社，4月16日訊】羅姆株式會(huì)社（ROHM Semiconductor；東京證交所股票代碼：6963.T）官網(wǎng)消息，其面向以工業(yè)設(shè)備和通信設(shè)備為首的各種電源電路，開(kāi)發(fā)出針對(duì)150V耐壓GaN HEMT（以下稱“GaN器件”）的、高達(dá)8V的柵極耐壓（柵極-源極間額定電壓）技術(shù)。

ROHM一直在大力推動(dòng)業(yè)內(nèi)先進(jìn)的SiC元器件和各種具有優(yōu)勢(shì)的硅元器件的開(kāi)發(fā)與量產(chǎn)，以及在中等耐壓范圍具有出色的高頻工作性能的GaN器件的開(kāi)發(fā)。此次，ROHM就現(xiàn)有GaN器件長(zhǎng)期存在的課題開(kāi)發(fā)出可以提高柵極-源極間額定電壓的技術(shù)，能夠?yàn)楦鞣N應(yīng)用提供更廣泛的電源解決方案。


產(chǎn)品特點(diǎn)


與硅器件相比，GaN器件具有更低的導(dǎo)通電阻值和更優(yōu)異的高速開(kāi)關(guān)性能，因而在基站和數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域作為有助于降低各種開(kāi)關(guān)電源的功耗并實(shí)現(xiàn)小型化的器件被寄予厚望。然而，GaN器件的柵極-源極間額定電壓較低，在開(kāi)關(guān)工作期間可能會(huì)發(fā)生超過(guò)額定值的過(guò)沖電壓，所以在產(chǎn)品可靠性方面一直存在很大的問(wèn)題。

在這種背景下，ROHM利用自有的結(jié)構(gòu)，成功地將柵極-源極間額定電壓從常規(guī)的6V提高到了8V，這將有助于提高采用高效率的GaN器件的電源電路的設(shè)計(jì)裕度和可靠性。此外，還配合本技術(shù)開(kāi)發(fā)出一種專用封裝，采用這種封裝不僅可以通過(guò)更低的寄生電感更好地發(fā)揮出器件的性能，還使產(chǎn)品更易于在電路板上安裝并具有更出色散熱性，從而可以使現(xiàn)有硅器件的替換和安裝工序中的操作更輕松。

ROHM即正在開(kāi)發(fā)中的GaN器件具有以下特點(diǎn)：

（1）采用ROHM自有結(jié)構(gòu)，將柵極-源極間額定電壓提高至8V

普通的耐壓200V以下的GaN器件的柵極驅(qū)動(dòng)電壓為5V，而其柵極-源極間額定電壓為6V，其電壓裕度非常小，只有1V。一旦超過(guò)器件的額定電壓，就可能會(huì)發(fā)生劣化和損壞等可靠性方面的問(wèn)題，這就需要對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電壓進(jìn)行高精度的控制，因此，這已成為阻礙GaN器件普及的重大瓶頸問(wèn)題。

針對(duì)這種課題，ROHM通過(guò)采用自有的結(jié)構(gòu)，成功地將柵極-源極間的額定電壓從常規(guī)的6V提高到了業(yè)內(nèi)超高的8V。這使器件工作時(shí)的電壓裕度達(dá)到普通產(chǎn)品的三倍，在開(kāi)關(guān)工作過(guò)程中即使產(chǎn)生了超過(guò)6V的過(guò)沖電壓，器件也不會(huì)劣化，從而有助于提高電源電路的可靠性。

（2）采用在電路板上易于安裝且具有出色散熱性的封裝

該GaN器件所采用的封裝形式，具有出色的散熱性能且通用性非常好，在可靠性和可安裝性方面已擁有可靠的實(shí)際應(yīng)用記錄，因此，將使現(xiàn)有硅器件的替換工作和安裝工序中的操作更加容易。此外，通過(guò)采用銅片鍵合封裝技術(shù)，使寄生電感值相比以往封裝降低了55％，從而在設(shè)計(jì)可能會(huì)高頻工作的電路時(shí)，可以更大程度地發(fā)揮出器件的性能。

（3）與硅器件相比，開(kāi)關(guān)損耗降低了65%

該GaN器件不僅提高了柵極-源極間額定電壓并采用了低電感封裝，還能夠更大程度地發(fā)揮出器件的性能，與硅器件相比，開(kāi)關(guān)損耗可降低約65%。


供貨與報(bào)價(jià)


預(yù)計(jì)于2021年9月即可開(kāi)始提供產(chǎn)品樣品。查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)官方網(wǎng)站http://www.rohm.com.cn。（張怡，產(chǎn)通發(fā)布）    （完）