【產(chǎn)通社，4月17日訊】意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics；NYSE股票代碼：STM）官網(wǎng)消息，其MasterGaN4功率封裝集成了兩個對稱的225mΩ RDS（on）、650V氮化鎵（GaN）功率晶體管，以及優(yōu)化的柵極驅(qū)動器和電路保護(hù)功能，可以簡化高達(dá)200W的高能效電源變換應(yīng)用的設(shè)計。

產(chǎn)品特點(diǎn)



作為意法半導(dǎo)體MasterGaN系列的最新產(chǎn)品，MasterGaN4解決了復(fù)雜的柵極控制和電路布局難題，簡化了寬帶隙GaN功率半導(dǎo)體的應(yīng)用設(shè)計。MasterGaN4的輸入容許電壓為3.3-15V，可以直接連接到控制器，例如，霍爾效應(yīng)傳感器或微控制器、DSP處理器、FPGA可編程器件等CMOS芯片。

GaN晶體管開關(guān)性能出色，工作頻率更高，能效更高，散熱發(fā)熱更少，設(shè)計人員可以選用尺寸更小的磁性組件和散熱器，設(shè)計更小、更輕的電源、充電器和適配器。MasterGaN4非常適用于對稱半橋拓?fù)湟约败涢_關(guān)拓?fù)�，例如，有源鉗位反激式和有源鉗位正激式變換器。

4.75-9.5V的寬電源電壓方便MasterGaN4連接到現(xiàn)有電源軌。內(nèi)置保護(hù)功能包括柵極驅(qū)動器互鎖、高低邊欠壓鎖定（UVLO）以及過熱保護(hù)，可進(jìn)一步簡化應(yīng)用設(shè)計。還有一個專用的關(guān)斷引腳。

作為這次產(chǎn)品發(fā)布的一部分，意法半導(dǎo)體還推出一個MasterGaN4原型開發(fā)板（EVALMASTERGAN4）。這塊評估板提供使用單一或互補(bǔ)信號驅(qū)動MasterGaN4的全部功能，以及一個可調(diào)的死區(qū)時間發(fā)生器。用戶可以靈活地施加一個單獨(dú)輸入信號或PWM信號，插入一個外部自舉二極管，隔離邏輯器件和柵極驅(qū)動器電源軌，以及使用一個低邊電流采樣電阻設(shè)計峰值電流模式拓?fù)洹?BR>

供貨與報價


MasterGaN4現(xiàn)已投產(chǎn)，采用9×9×1mm GQFN封裝，超過2mm的爬電距離確保在高壓應(yīng)用中的使用安全。

查詢進(jìn)一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.st.com/gatedrivers。（張怡，產(chǎn)通發(fā)布）     （完）