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富士通于IEEE之IEDM大會(huì)展示最新CMOS邏輯高壓晶體管
2008/12/29 12:31:57     

【產(chǎn)通社,12月29日訊】富士通微電子(上海)有限公司宣布,富士通實(shí)驗(yàn)室和富士通株式會(huì)社聯(lián)合開發(fā)出一款具有高擊穿電壓并基于邏輯制程的CMOS高壓晶體管,該晶體管適用于無(wú)線設(shè)備的功率放大器。作為先進(jìn)科技的先驅(qū),富士通開發(fā)完成了世界上第一代基于45納米工藝的CMOS晶體管,能夠處理10V功率輸出,這使得晶體管能夠處理用于WiMAX和其它高頻應(yīng)用的功率放大器的高輸出要求。這一新技術(shù)能夠?qū)⒐δ芊糯笃骱虲MOS邏輯控制電路在同一塊芯片上集成,可實(shí)現(xiàn)單芯片的工作模式,從而使生產(chǎn)出高性能和低功耗的功能放大器成為可行。

在2008年12月15日到17日于舊金山舉辦的2008年IEEE國(guó)際電子元器件大會(huì)(IEDM)上,富士通微電子已展示該技術(shù)的詳細(xì)信息。因?yàn)橛糜跓o(wú)線設(shè)備的功率放大器產(chǎn)生高頻時(shí)需要高功率輸出,目前廣泛使用砷化鎵(GaAs)等化合物半導(dǎo)體,功率放大器作為單獨(dú)的芯片貼裝,與通用CMOS邏輯芯片上的控制電路分離。如果在單一芯片上集成所有的功能可降低整個(gè)模塊的成本,并有可能被用于滿足無(wú)線設(shè)備及無(wú)線通信標(biāo)準(zhǔn)(WiMAX和LTE)的通訊速度要求。這要求晶體管不僅能夠兼容CMOS邏輯處理技術(shù),而且能滿足WiMAX及其它無(wú)線通信標(biāo)準(zhǔn)對(duì)功率放大器的要求。


技術(shù)挑戰(zhàn)

功率放大器在面對(duì)高頻應(yīng)用(如WiMAX)時(shí),其所需功率輸出會(huì)超過(guò)使用標(biāo)準(zhǔn)CMOS邏輯制程的晶體管的擊穿電壓。要克服這一難題并同時(shí)維持CMOS工藝技術(shù)的兼容性,需要增加晶體管的擊穿電壓,而擊穿電壓的增加可通過(guò)降低漏極周圍的電場(chǎng)來(lái)實(shí)現(xiàn),同時(shí)要注意電場(chǎng)的調(diào)整容易致使晶體管出現(xiàn)故障。另外,高擊穿電壓的結(jié)構(gòu)往往容易增加晶體管的導(dǎo)通電阻(4),致使高頻時(shí)難以獲取滿意的性能。所以,無(wú)論使用種方案都需要增加擊穿電壓并同時(shí)避免導(dǎo)通電阻的升高。


圖1: 富士通新研發(fā)的晶體管的結(jié)構(gòu)

為應(yīng)對(duì)上述問(wèn)題,富士通開發(fā)出帶有下列關(guān)鍵特性的新型晶體管結(jié)構(gòu):
(1)低摻雜漏極(LDD)區(qū)包圍該晶體管的漏極,并與門極重疊。這一結(jié)構(gòu)既能降低水平擴(kuò)展至漏極的電場(chǎng),也能降低垂直擴(kuò)展至門極氧氣層的電場(chǎng),從而增加了擊穿電壓。
(2)晶體管溝道內(nèi)的摻雜物橫向斜度分布。這樣能夠降低溝道內(nèi)漏極一側(cè)的摻雜物密度,同時(shí)限制漏電阻(漏電阻是導(dǎo)通電阻的重要組成部分)的增加。還能降低橫向向漏極擴(kuò)展的電場(chǎng),并能增加擊穿電壓。

通常提高CMOS晶體管擊穿電壓的方法是增加門極和漏極之間的寬度。與以往的方法相比,這一新結(jié)構(gòu)不增加寬度也能有效抑制導(dǎo)通電阻。此外,由于該結(jié)構(gòu)只需形成LDD區(qū)和定制溝道區(qū)兩個(gè)額外步驟,因此能夠?qū)崿F(xiàn)高度兼容3.3V I/O的標(biāo)準(zhǔn)晶體管。


圖2: 富士通新型功率晶體管的特性

富士通通過(guò)使用45nm工藝技術(shù)把新型晶體管技術(shù)應(yīng)用到3.3V I/O的標(biāo)準(zhǔn)晶體管上,從而開發(fā)出了世界上首個(gè)能把擊穿電壓從6V提高到10V的晶體管。新型晶體管適用于功率放大器,它在最大振蕩頻率為43GHz時(shí)每個(gè)1mm門極寬度能夠輸出0.6W(0.6W/mm),展示了其作為功率放大器在面向WiMAX等高頻應(yīng)用方面的卓越性能。新型晶體管在基本的可靠性測(cè)試上也取得了良好的測(cè)試結(jié)果。


未來(lái)發(fā)展

富士通新型開發(fā)的高壓晶體管為帶高擊穿電壓的CMOS邏輯晶體管在功率放大器中的使用鋪平了道路。富士通將利用該技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展,持續(xù)在單一芯片上集成功率放大器和控制電路方面做出努力,以實(shí)現(xiàn)成本更低和性能更高的功率放大器模塊。

查詢進(jìn)一步信息,請(qǐng)?jiān)L問(wèn)富士通實(shí)驗(yàn)室http://jp.fujitsu.com/fml/en/,或富士通微電子http://cn.fujitsu.com/fmc。(文潔,博達(dá)公關(guān))

    (完)
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