【產(chǎn)通社，4月30日訊】露笑科技股份有限公司（Roshow Technology；股票代碼：002617）2020年年度報告顯示，由于藍寶石晶體和碳化硅晶體生長之間的相似性，其在碳化硅（SIC）晶體生長的長晶爐上同樣具有較強的實力。公司憑借在藍寶石業(yè)務(wù)上的深厚積淀，已突破以下幾項碳化硅長晶爐及長晶環(huán)節(jié)關(guān)鍵技術(shù)：
（1）完成6寸石英管式碳化硅晶體生長爐開發(fā)，以獨特密封結(jié)構(gòu)解決設(shè)備高真空度獲取與長時間保持的難題，極限真空<2×10-5Pa，具備工程化使用條件。
（2）完成大尺寸碳化硅單晶制備相關(guān)理論的研究，通過計算機模型輔助計算，形成了單晶制備過程物質(zhì)與熱量傳輸、缺陷演變的基本規(guī)律，解決了熱場均勻性差、大尺寸單晶應(yīng)力聚集、單晶擴徑難等問題，為6寸及以上半絕緣碳化硅晶體的制備打下了堅實基礎(chǔ)。
（3）解決晶型生長控制難、微管密度大、晶體背向腐蝕嚴重等難題，提升了單晶質(zhì)量，通過長晶過程中的除雜工藝實現(xiàn)了高電阻率晶體生長。
（4）高純度碳化硅原料合成，有效降低原料中對電阻率提升有害的特定雜質(zhì)含量濃度，達到小于1ppm量級。

公司已儲備國內(nèi)最早從事碳化硅晶體生長研究的技術(shù)團隊 —— 陳之戰(zhàn)博士研究團隊。陳之戰(zhàn)博士1998年開始從事碳化硅晶體的生長研究，截至今日擁有22年的豐富經(jīng)驗。陳之戰(zhàn)博士長期在中國科學(xué)院上海硅酸鹽所工作，先后任助理研究員、副研究員和研究員，率先在國內(nèi)開展碳化硅晶體生長、加工研究、科研經(jīng)費超億元。陳之戰(zhàn)博士協(xié)助世紀金光建設(shè)了國內(nèi)第一條完整的碳化硅晶體生長和加工中試線，曾任北京世紀金光技術(shù)總監(jiān)，全面負責碳化硅晶體生長與加工的研發(fā)與生產(chǎn)。發(fā)表論文100 余篇，授權(quán)專利50余項，出版專著一本。

查詢進一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.roshowtech.com。（Donna Zhang，張底剪報）    （完）