【產(chǎn)通社，4月30日訊】華潤微電子有限公司（China Resources Microelectronics Limited；股票代碼：688396）2020年度報(bào)告顯示，其報(bào)告期內(nèi)主要取得的研發(fā)成果如下：
（1）公司充分利用IDM模式優(yōu)勢(shì)和在功率器件領(lǐng)域雄厚的技術(shù)積累開展SiC功率器件研發(fā)，向市場(chǎng)發(fā)布第一代SiC工業(yè)級(jí)肖特基二極管(1200V、650V)系列產(chǎn)品，國內(nèi)首條6英寸商用SiC晶圓生產(chǎn)線正式量產(chǎn)。產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于太陽能、UPS、充電樁、儲(chǔ)能和車載電源等領(lǐng)域。
（2）公司中低壓功率SGT MOSFET產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵核心技術(shù)突破，器件性能達(dá)到對(duì)標(biāo)產(chǎn)品的國際先進(jìn)水平。
（3）報(bào)告期內(nèi)，公司完成5A-43A系列化超結(jié)MOS器件產(chǎn)品的開發(fā)，多顆產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。
（4）公司向市場(chǎng)推出了30V系列新一代溝槽柵MOS產(chǎn)品，整體性能達(dá)到國內(nèi)領(lǐng)先水平。
（5）公司多芯片封裝集成IPM模塊實(shí)現(xiàn)批量銷售，同時(shí)向家電市場(chǎng)推出多顆不同電流和電壓的系列化產(chǎn)品。
（6）公司推出全新的平面高壓MOSFET第七代產(chǎn)品，該產(chǎn)品具有電流密度高、開關(guān)速度快、浪涌能力強(qiáng)、制造成本低等多種優(yōu)勢(shì)，可以廣泛用于LED電源、適配器、充電器等領(lǐng)域。
（7）公司自主研發(fā)的采用國產(chǎn)32位CPU IP的MCU產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)客戶導(dǎo)入，并持續(xù)開發(fā)系列化產(chǎn)品方案。
（8）公司成功推出適用于電動(dòng)自行車、平衡車的7節(jié)、10節(jié)硬件保護(hù)產(chǎn)品PT6007B、PT6010，以及用于電池包二級(jí)保護(hù)的產(chǎn)品PT6605M，并實(shí)現(xiàn)全系列硬件保護(hù)產(chǎn)品，支持鐵鋰電池應(yīng)用。
（9）公司完成光電高壓可控硅成品平臺(tái)研發(fā)，推出過零觸發(fā)和隨機(jī)相位觸發(fā)等多顆產(chǎn)品。
（10）公司光電及硅麥克風(fēng)傳感器工藝平臺(tái)從6英寸升級(jí)到8英寸，實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)，產(chǎn)品性能及良率水平優(yōu)秀；整體提升了公司MEMS工藝技術(shù)水平和競(jìng)爭(zhēng)能力。
（11）公司成功完成面板級(jí)封裝技術(shù)從研發(fā)到量產(chǎn)化導(dǎo)入工作，可為客戶提供面板級(jí)封裝技術(shù)解決方案，封裝產(chǎn)品可靠性滿足工業(yè)電子元器件應(yīng)用需求，封裝阻抗可小于0.5毫歐。
（12）自主實(shí)現(xiàn)PD快充調(diào)壓技術(shù)，完成60W高功率發(fā)送方案開發(fā)。
（13）自主研發(fā)的SuperJunction多層外延技術(shù)實(shí)現(xiàn)突破，功率密度進(jìn)一步提升20%以上，效率進(jìn)一步提高，并拓展到集成ESD保護(hù)系列產(chǎn)品和集成快恢復(fù)FRD系列產(chǎn)品，達(dá)到工業(yè)級(jí)可靠性，性能對(duì)標(biāo)業(yè)界先進(jìn)水準(zhǔn)。
（14）IGBT技術(shù)從6英寸升級(jí)到8英寸，自主研發(fā)的8英寸1200V、650V IGBT工藝平臺(tái)已建立完成。
（15）高精度模擬集成電路工藝技術(shù)平臺(tái)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。該工藝平臺(tái)采用國內(nèi)領(lǐng)先的0.153微米技術(shù)，自主研發(fā)了多項(xiàng)新型器件結(jié)構(gòu)，可提供豐富的IP，具有具有優(yōu)秀的線性度、低的噪聲和更低的功耗，非常適用于高精度測(cè)量和傳感器應(yīng)用，核心器件可以達(dá)到車規(guī)級(jí)可靠性要求。
（16）報(bào)告期內(nèi)，公司“0.153um CMOS EN高精度模擬技術(shù)平臺(tái)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化”、“新一代驅(qū)動(dòng)型低壓大電流Trench-MOSFET”獲得第十四屆（2019年度）獲中國半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)獎(jiǎng)，“智能功率驅(qū)動(dòng)芯片設(shè)計(jì)及制備的關(guān)鍵技術(shù)與應(yīng)用”獲“江蘇省科學(xué)技術(shù)一等獎(jiǎng)”等。

報(bào)告期內(nèi)，公司新增境內(nèi)專利申請(qǐng)319項(xiàng)，PCT國際專利申請(qǐng)54項(xiàng)，境外專利申請(qǐng)43項(xiàng)；截至2020年末，公司已獲得授權(quán)并維持有效的專利共計(jì)1,711項(xiàng)，其中境內(nèi)專利1,492項(xiàng)、境外專利219項(xiàng)。

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