【產(chǎn)通社，1月22日訊】TechWire International消息，Digi-Key與Cree共同宣布，Digi-Key現(xiàn)在正在庫存面向通用微波應(yīng)用的Cree氮化鎵(GaN) HEMT晶體管。Digi-Key的Cree產(chǎn)品系列包括SiC功率元件、SiC MESFET、高亮度與高功率LED以及現(xiàn)在還包括的GaN HEMT晶體管。

功率水平介于10W～90W的Cree GaN HEMT通用晶體管是需要高效率、多倍頻帶寬性能方面微波應(yīng)用的理想選擇。這些晶體管在占位面積較小的封裝中可提供高達(dá)6GHz的高頻率、高增益及低寄生電容。這可實(shí)現(xiàn)更小、更亮且能效更高的系統(tǒng)，與采用其他微波晶體管技術(shù)相比，這些系統(tǒng)通常所需的放大器元件數(shù)較少。

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