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ROHM新型表貼AC/DC轉(zhuǎn)換器內(nèi)置1700V SiC MOSFET
2021/6/20 12:46:14     

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【產(chǎn)通社,6月19日訊】羅姆株式會(huì)社(ROHM Semiconductor;東京證交所股票代碼:6963.T)官網(wǎng)消息,其面向大功率通用逆變器、AC伺服、商用空調(diào)、路燈等工業(yè)設(shè)備,開(kāi)發(fā)出內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC BM2SC12xFP2-LBZ。

新產(chǎn)品內(nèi)置節(jié)能性能非常出色的SiC MOSFET和專(zhuān)為工業(yè)設(shè)備輔助電源*3優(yōu)化的控制電路,并采用小型表貼封裝(TO263),有助于使節(jié)能型AC/DC轉(zhuǎn)換器的開(kāi)發(fā)變得更容易。新產(chǎn)品可以利用設(shè)備自動(dòng)貼裝在電路板上,這在以往是不可能實(shí)現(xiàn)的;而且當(dāng)用于交流400V、輸出48W以下的輔助電源時(shí),與采用普通產(chǎn)品的配置相比,部件數(shù)量顯著減少(將散熱板和12個(gè)部件縮減為1個(gè))。這不僅可以降低部件故障的風(fēng)險(xiǎn),還通過(guò)SiC MOSFET將功率轉(zhuǎn)換效率提高多達(dá)5%。因此,不僅有助于大幅削減工廠的安裝成本,還可以提供更加小型、更高可靠性及更節(jié)能的解決方案。


產(chǎn)品特點(diǎn)


BM2SC12xFP2-LBZ將1700V耐壓SiC MOSFET和專(zhuān)為工業(yè)設(shè)備的輔助電源而優(yōu)化的SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)用柵極驅(qū)動(dòng)電路等集成于一枚封裝中。通過(guò)實(shí)現(xiàn)以下特點(diǎn),使節(jié)能型AC/DC轉(zhuǎn)換器的開(kāi)發(fā)更容易,不僅可以顯著降低工廠的安裝成本,還可為工業(yè)設(shè)備提供更小型、更高可靠性及更節(jié)能的解決方案。

(1)可支持高達(dá)48W輸出功率的表貼封裝產(chǎn)品,有助于大大削減工廠的安裝成本

新產(chǎn)品采用專(zhuān)為內(nèi)置SiC MOSFET而開(kāi)發(fā)的表貼封裝TO263-7L。盡管體積小巧,但仍可充分確保處理大功率時(shí)的封裝安全性(爬電距離),而且作為無(wú)散熱器的表貼封裝產(chǎn)品,可支持高達(dá)48W(24V、2A等)的輸出功率?衫米詣(dòng)設(shè)備將本產(chǎn)品貼裝在電路板上,這是以往在該范圍的產(chǎn)品無(wú)法實(shí)現(xiàn)的。加上可削減元器件數(shù)量的優(yōu)勢(shì),將有助于大大降低工廠的安裝成本。

(2)將散熱板和多達(dá)12個(gè)部件縮減為1個(gè),在小型化方面具有壓倒性優(yōu)勢(shì)

新產(chǎn)品采用一體化封裝,相比采用Si-MOSFET的普通分立產(chǎn)品配置,部件數(shù)量顯著減少,1個(gè)封裝內(nèi)包含多達(dá)12個(gè)部件(AC/DC轉(zhuǎn)換器控制IC、800V耐壓Si-MOSFET×2、齊納二極管×3、電阻器×6)和散熱板。另外,由于SiC MOSFET具有高耐壓、抗噪性能優(yōu)異的特點(diǎn),還可實(shí)現(xiàn)降噪部件的小型化。

應(yīng)用電路和新產(chǎn)品的效果

(3)減少開(kāi)發(fā)周期和風(fēng)險(xiǎn),內(nèi)置保護(hù)功能,可靠性顯著提高

新產(chǎn)品采用一體化封裝,可減少鉗位電路和驅(qū)動(dòng)電路的部件選型及可靠性評(píng)估的工時(shí),可降低部件故障風(fēng)險(xiǎn),可縮減引進(jìn)SiC MOSFET時(shí)的開(kāi)發(fā)周期,一舉多得。另外,除了通過(guò)內(nèi)置SiC MOSFET,實(shí)現(xiàn)了高精度過(guò)熱保護(hù)(Thermal Shutdown),此外還配備了過(guò)負(fù)載保護(hù)(FB OLP)、電源電壓引腳的過(guò)電壓保護(hù)(VCC OVP)、過(guò)電流保護(hù)、二次側(cè)電壓的過(guò)電壓保護(hù)等進(jìn)行連續(xù)驅(qū)動(dòng)的工業(yè)設(shè)備電源所需的豐富保護(hù)功能,實(shí)現(xiàn)了更高可靠性。

(4)激發(fā)出SiC MOSFET的性能,節(jié)能效果顯著

新產(chǎn)品中搭載的SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)用柵極驅(qū)動(dòng)電路,通過(guò)更大限度地激發(fā)出SiC MOSFET的實(shí)力,與采用Si-MOSFET的普通配置相比,功率轉(zhuǎn)換效率提升高達(dá)5%(截至2021年6月ROHM調(diào)查數(shù)據(jù))。另外,本產(chǎn)品的控制電路采用準(zhǔn)諧振方式,與普通的PWM方式相比,運(yùn)行噪聲低、效率高,可充分地降低對(duì)工業(yè)設(shè)備的噪聲影響。


供貨與報(bào)價(jià)


這款新產(chǎn)品已于2021年5月開(kāi)始出售樣品(樣品價(jià)格1,500日元/個(gè),不含稅),計(jì)劃于2021年10月起暫以月產(chǎn)10萬(wàn)個(gè)的規(guī)模投入量產(chǎn)。另外,新產(chǎn)品及其評(píng)估板BM2SC123FP2-EVK-001已經(jīng)開(kāi)始通過(guò)電商銷(xiāo)售,從Ameya360、Oneyac等電商平臺(tái)均可購(gòu)買(mǎi)。

查詢進(jìn)一步信息,請(qǐng)?jiān)L問(wèn)官方網(wǎng)站http://www.rohm.com.cn。(張怡,產(chǎn)通發(fā)布)    (完)
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