【產(chǎn)通社，7月14日訊】SK海力士（SK Hynix；KRX韓國證券交易所股票代碼：000660.KS）官網(wǎng)消息，其已于7月初開始量產(chǎn)適用第四代10納米（1a）級(jí)工藝的 8Gigabit（Gb）LPDDR4（Low Power Double Data Rate 4）移動(dòng)端DRAM產(chǎn)品。SK海力士在此前生產(chǎn)1y納米級(jí)產(chǎn)品過程中曾部分采用了EUV技術(shù)，事先完成了對(duì)其穩(wěn)定性的驗(yàn)證。

SK海力士1a納米級(jí)DRAM領(lǐng)導(dǎo)小組（Task Force）的曹永萬副社長表示：“此次量產(chǎn)的1a納米級(jí)DRAM在生產(chǎn)效率和成本競爭力層面都有改善，從而可以期待更高的盈利。通過將EUV技術(shù)全面導(dǎo)入量產(chǎn)程序，SK海力士有望進(jìn)一步鞏固引領(lǐng)尖端技術(shù)的高新企業(yè)地位�！�


產(chǎn)品特點(diǎn)


自從10納米級(jí)DRAM產(chǎn)品開始，半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)將每一代工藝節(jié)點(diǎn)都以標(biāo)注英文字母的方式起名，此次SK海力士量產(chǎn)的1a納米級(jí)工藝是繼1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）之后的第四代工藝節(jié)點(diǎn)。公司預(yù)計(jì)從下半年開始向智能手機(jī)廠商供應(yīng)適用1a納米級(jí)技術(shù)的移動(dòng)端DRAM。

工藝的極度細(xì)微化趨勢使半導(dǎo)體廠商陸續(xù)導(dǎo)入EUV設(shè)備，并將其投入在晶圓上繪制電路的光刻工藝當(dāng)中。業(yè)界認(rèn)為采用EUV技術(shù)的水平將成為今后決定技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位的重要因素。SK海力士通過此次量產(chǎn)確保了EUV工藝技術(shù)的穩(wěn)定性，并表示未來的1a納米級(jí)DRAM都將采用EUV工藝進(jìn)行生產(chǎn)。

SK海力士期待通過新產(chǎn)品生產(chǎn)效率的提升得以確保更高的成本競爭力。相較前一代1z納米級(jí)工藝的同樣規(guī)格產(chǎn)品，1a納米級(jí)DRAM在每一張晶圓中可產(chǎn)出的產(chǎn)品數(shù)量約提高了25%。在今年全球DRAM需求持續(xù)增長的背景下，公司期待1a納米級(jí)DRAM在全球存儲(chǔ)半導(dǎo)體供需中扮演重要角色。

此次新產(chǎn)品穩(wěn)定支持 LPDDR4 移動(dòng)端DRAM規(guī)格的最高速度（4266Mbps），并相較前一代產(chǎn)品其功耗也降低了約20%. SK海力士認(rèn)為此次新產(chǎn)品進(jìn)一步強(qiáng)化了低功耗的優(yōu)勢，助力碳排放量的減少。


供貨與報(bào)價(jià)


在本次LPDDR4產(chǎn)品之后，SK海力士還計(jì)劃從明年初開始將1a納米級(jí)工藝導(dǎo)入于去年十月推出的全球首款DDR5 DRAM。

查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問官方網(wǎng)站http://news.skhynix.com.cn/sk-hynix-starts-mass-production-of-1anm-dram-using-euv-equipment。（張怡，產(chǎn)通發(fā)布）    （完）