【產(chǎn)通社，8月4日訊】歐姆龍電子部件貿(mào)易（上海）有限公司（OMRON Corporation）官網(wǎng)消息，其G3VM-xxMT系列MOS FET繼電器模塊漏電流在1pA以下，有助于設(shè)備的高可靠性。
 

產(chǎn)品特點(diǎn)


G3VM-xxMT系列MOS FET繼電器模塊具備T開關(guān)功能，實(shí)現(xiàn)fA級(jí)的較小漏電流，有助于達(dá)到與以往的干簧繼電器同等的測(cè)量性能。主要特點(diǎn)如下：
- 接點(diǎn)構(gòu)成：1a+T開關(guān)功能。
- 采用小型封裝，有助于節(jié)省印刷電路板上的封裝空間。
- VOFF =20V、50V、80V。


供貨與報(bào)價(jià)


符合RoHS指令。查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)官方網(wǎng)站http://www.ecb.omron.com.cn/product-detail?partNumber=G3VM-21MT/G3VM-61MT/G3VM-101MT。（Lisa WU，365PR Newswire）    （完）