【產(chǎn)通社，8月14日訊】安世半導(dǎo)體（Nexperia；原恩智浦標準產(chǎn)品事業(yè)部）官網(wǎng)消息，其新款80V和100V ASFET器件增強了SOA性能，適用于5G電信系統(tǒng)和48V服務(wù)器環(huán)境中的熱插拔與軟啟動應(yīng)用以及需要e-fuse和電池保護的工業(yè)設(shè)備。

Nexperia國際產(chǎn)品高級營銷經(jīng)理Mike Becker表示：“以前只在25°C時指定SOA，這意味著在高溫環(huán)境中的操作，設(shè)計師必須進行降額。我們的新款熱插拔ASFET包括125°C SOA規(guī)范，消除了該耗時的任務(wù)，并證實了Nexperia的器件即使在高溫下也具有出色的性能。另外一個優(yōu)點是在需要多個熱插拔MOSFET并聯(lián)使用的高功率應(yīng)用中，使均流能力得到改善，從而提高了可靠性并降低了系統(tǒng)成本， Nexperia被廣泛認為是熱插拔MOSFET市場領(lǐng)導(dǎo)者。憑借這些最新的ASFET，我們再一次提高了標準。”


產(chǎn)品特點


ASFET是一種新型MOSFET，經(jīng)過優(yōu)化，可用于特定應(yīng)用場景。通過專注于對某一應(yīng)用至關(guān)重要的特定參數(shù)，有時需要犧牲相同設(shè)計中其他較不重要的參數(shù)，以實現(xiàn)全新性能水平。新款熱插拔ASFET將Nexperia的最新硅技術(shù)與銅夾片封裝結(jié)構(gòu)相結(jié)合，顯著增強安全工作區(qū)（SOA）并最大限度縮小PCB面積。

以前，MOSFET深受Spirito效應(yīng)的影響，導(dǎo)致SOA性能因在較高電壓下的熱不穩(wěn)定性而迅速下降。Nexperia堅固耐用的增強型SOA技術(shù)消除了“Spirito-knee”，與前幾代D2PAK相比，在50V時SOA增加了166%，另一項重要改進是數(shù)據(jù)手冊中添加了125°C SOA特性。 

全新PSMN4R2-80YSE（80V，4.2m）和PSMN4R8-100YSE（100V，4.8m）熱插拔ASFET采用兼容Power-SO8的LFPAK56E封裝。該封裝獨特的內(nèi)部銅夾片結(jié)構(gòu)提高了熱性能與電氣性能，同時大大減小了管腳尺寸。全新的LFPAK56E產(chǎn)品尺寸僅為5×6×1.1mm，與上一代D2PAK相比，PCB管腳尺寸和器件高度分別縮小80%和75%。

此外，器件的最大結(jié)溫為175°C，符合IPC9592對電信和工業(yè)應(yīng)用的規(guī)定。


供貨與報價


新款熱插拔ASFET是最新器件，將在Nexperia位于英國曼徹斯特的新8英寸晶圓生產(chǎn)廠制造，已準備好批量生產(chǎn)。查詢進一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.nexperia.com/products/mosfets/application-specific-mosfets/asfets-for-hotswap-and-soft-start。（張怡，產(chǎn)通發(fā)布）    （完）