| 應(yīng)用材料(AMAT)3D熱離子注入系統(tǒng)助力200毫米SiC晶圓量產(chǎn) |
| 2021/9/13 11:52:12 |
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 【產(chǎn)通社,9月13日訊】應(yīng)用材料公司(Applied Materials;NASDAQ股票代碼:AMAT)官網(wǎng)消息,其推出多項(xiàng)全新產(chǎn)品以幫助世界領(lǐng)先的碳化硅 (SiC) 芯片制造商從150毫米晶圓量產(chǎn)轉(zhuǎn)向200毫米晶圓量產(chǎn),使每個(gè)晶圓的芯片數(shù)產(chǎn)出近乎翻倍,可滿足全球?qū)τ谧吭降碾妱?dòng)車動(dòng)力系統(tǒng)日益增長(zhǎng)的需求。 應(yīng)用材料公司集團(tuán)副總裁、ICAPS事業(yè)部總經(jīng)理Sundar Ramamurthy表示:“為了助力計(jì)算機(jī)革新,芯片制造商轉(zhuǎn)而將希望寄托于不斷擴(kuò)大晶圓尺寸,通過(guò)顯著增加芯片產(chǎn)出來(lái)滿足增長(zhǎng)迅速的全球需求,F(xiàn)如今,又一波革新初露端倪,這些革新將受益于應(yīng)用材料公司在工業(yè)規(guī)模下材料工程領(lǐng)域的專業(yè)知識(shí)! Cree公司總裁兼CEO Gregg Lowe表示:“交通運(yùn)輸業(yè)的電氣化勢(shì)頭迅猛,借助Wolfspeed技術(shù),我們將能夠藉此拐點(diǎn)領(lǐng)導(dǎo)全球加速?gòu)墓柘蛱蓟柁D(zhuǎn)型。通過(guò)在更大的 200毫米晶圓上交付最高性能的碳化硅電源器件,我們得以提升終端客戶價(jià)值,滿足日趨增長(zhǎng)的需求。應(yīng)用材料公司的支持將有助于加速我們?cè)趭W爾巴尼的 200毫米工藝制程的技術(shù)驗(yàn)證,我們的莫霍克谷晶圓廠的多項(xiàng)設(shè)備安裝也在緊鑼密鼓進(jìn)行中,兩者助力之下,轉(zhuǎn)型進(jìn)展迅速。不僅如此,應(yīng)用材料公司的 ICAPS 團(tuán)隊(duì)眼下正在開(kāi)發(fā)熱注入等多項(xiàng)新技術(shù),拓寬并深化了我們之間的技術(shù)協(xié)作,使我們的電力技術(shù)路線圖得以快速發(fā)展。” 產(chǎn)品特點(diǎn) SiC電力半導(dǎo)體能夠?qū)㈦姵仉娏扛咝мD(zhuǎn)化為扭力,從而提升車輛性能并增大里程范圍,因此需求旺盛。SiC的固有特性使其比硅更堅(jiān)硬,但也存在自然缺陷,可能導(dǎo)致電性能、電源效率、可靠性和良率的降低。因此需要通過(guò)先進(jìn)的材料工程來(lái)對(duì)未經(jīng)加工的晶圓進(jìn)行優(yōu)化方可量產(chǎn),并在保證盡可能減少晶格破壞的前提下構(gòu)建電路。 SiC晶圓表面質(zhì)量對(duì)于SiC器件制造至關(guān)重要,因?yàn)榫A表面的任何缺陷都將傳遞至后續(xù)各層次。為了量產(chǎn)具有最高質(zhì)量表面的均勻晶圓,應(yīng)用材料公司開(kāi)發(fā)了Mirra Durum CMP系統(tǒng),此系統(tǒng)將拋光、材料去除測(cè)量、清洗和干燥整合到同一個(gè)系統(tǒng)內(nèi)。這一新系統(tǒng)生產(chǎn)的成品晶圓表面粗糙度僅為機(jī)械減薄SiC晶圓的五十分之一,是批式 CMP工藝系統(tǒng)的粗糙度的三分之一。 為助力行業(yè)向200毫米大尺寸晶圓轉(zhuǎn)型,應(yīng)用材料公司發(fā)布了全新的Mirra Durum CMP系統(tǒng),它集成拋光、材料去除測(cè)量、清洗和干燥于一身,可量產(chǎn)具有極高質(zhì)量表面的均勻晶圓,熱注入提升SiC芯片性能和電源效率 在SiC芯片制造期間,離子注入在材料內(nèi)加入摻雜劑,以幫助支持并引導(dǎo)大電流電路內(nèi)的電流流動(dòng)。由于SiC材料的密度和硬度,要進(jìn)行摻雜劑的注入、精確布局和活化的難度非常之大,同時(shí)還要最大程度降低對(duì)晶格的破壞,避免性能和電源效率的降低。應(yīng)用材料公司通過(guò)其全新的VIISta 900 3D熱離子注入系統(tǒng)為150毫米和200毫米SiC晶圓破解了這一難題。這項(xiàng)熱注入技術(shù)在注入離子的同時(shí),能夠?qū)?duì)晶格結(jié)構(gòu)的破壞降到最低,產(chǎn)生的電阻率僅為室溫下注入的四十分之一。 全新VIISta 900 3D熱離子注入系統(tǒng)可向200毫米和150毫米碳化硅晶圓注入和擴(kuò)散離子,產(chǎn)生的電阻率僅為室溫下注入的四十分之一  供貨與報(bào)價(jià) 應(yīng)用材料公司的ICAPS(物聯(lián)網(wǎng)、通信、汽車、功率和傳感器)事業(yè)部正在為SiC電源芯片市場(chǎng)開(kāi)發(fā)更多具備PVD、CVD、刻蝕和工藝控制的產(chǎn)品。查詢進(jìn)一步信息,請(qǐng)?jiān)L問(wèn)官方網(wǎng)站 http://www.appliedmaterials.com。(張怡,產(chǎn)通發(fā)布) (完)
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