【產(chǎn)通社，10月2日訊】德州儀器（Texas Instruments Incorporated；NASDAQ股票代碼：TXN）官網(wǎng)消息，其氮化鎵（GaN）技術(shù)和C2000實時MCU輔以臺達長期耕耘之電力電子核心技術(shù)，為數(shù)據(jù)中心開發(fā)設(shè)計高效、高功率的企業(yè)用服務(wù)器電源供應(yīng)器（PSU）。與采用傳統(tǒng)架構(gòu)的企業(yè)服務(wù)器電源供應(yīng)器相比，臺達研發(fā)的服務(wù)器電源供應(yīng)器功率密度可提高80%，效率提升1%。根據(jù)能源與氣候政策公司能源創(chuàng)新（Energy Innovation）的估計，效率每改善1%，等于每座數(shù)據(jù)中心可節(jié)省100萬瓦（或800戶家庭用電）的總系統(tǒng)成本。 

德州儀器高壓電源事業(yè)部副總裁Steve Lambouses表示：“德州儀器致力于透過半導(dǎo)體技術(shù)使電子產(chǎn)品的價格更加實惠，讓世界更加美好。我們的GaN技術(shù)將效率更高、體積更小且更為可靠的解決方案推升至了全新境界。除了投資技術(shù)發(fā)展之外，TI對內(nèi)更是強化制造生產(chǎn)以便為臺達以及其他客戶等提供支援，同時也能夠迅速擴展GaN等新興技術(shù)的規(guī)模�！� 

臺達電源及系統(tǒng)事業(yè)群（PSBG）副總裁暨總經(jīng)理尹碹博表示：“臺達多年來專注于提供高能源效率的產(chǎn)品與解決方案，與伙伴及客戶密切合作，以降低碳足跡。這也促使我們長期與TI等業(yè)界領(lǐng)先公司合作，持續(xù)研發(fā)并應(yīng)用新一代技術(shù)。GaN已突破研發(fā)門檻，從未來科技轉(zhuǎn)變?yōu)槟壳翱刹捎玫募夹g(shù)，將為電源供應(yīng)系統(tǒng)帶來新的設(shè)計方式，并提高產(chǎn)品效能和功率，尤其適合服務(wù)器電源供應(yīng)器。我們的目標(biāo)是使能源效率超越98%、功率密度突破100W/inch3。GaN技術(shù)將完全顛覆既有電源設(shè)計與架構(gòu)，未來幾年電源方案和產(chǎn)品的發(fā)展令人期待，臺達也將善用新技術(shù)，進一步強化我們在資料中心與其它大型應(yīng)用的電源解決方案領(lǐng)導(dǎo)地位�！� 


產(chǎn)品特點


臺達為全球客戶提供電源管理與散熱解決方案，同時也是AC-DC、DC-DC與DC-AC電源系統(tǒng)的領(lǐng)導(dǎo)廠商，產(chǎn)品應(yīng)用范圍廣泛，包括資通訊、電動車充電與工業(yè)電源等。TI多年來致力于半導(dǎo)體和計算機相關(guān)技術(shù)，投入GaN技術(shù)的開發(fā)、應(yīng)用已長達十年，更提供C2000 MCU等實時控制解決方案，是臺達長期合作的重要伙伴。此次TI利用創(chuàng)新的半導(dǎo)體制程制造硅基氮化鎵（GaN-on-silicon）技術(shù)與集成電路，協(xié)助臺達等公司打造差異化應(yīng)用，提升全球資料中心電源效率。 

整合GaN集成電路可提升效率、功率密度和系統(tǒng)可靠性：
- 在高壓、高功率工業(yè)電源應(yīng)用方面，TI的GaN場效晶體管（FET）整合了快速切換驅(qū)動器，以及內(nèi)部保護與溫度感測功能，可在有限電路板空間內(nèi)達成更高效能表現(xiàn)。。
- 集成電路均通過4千萬小時以上的可靠性測試，及超過500萬千瓦小時的功率轉(zhuǎn)換測試，為工程師提供嚴謹可靠性數(shù)據(jù)，并可以GaN打造體積更小、重量更輕、效率更高的電源系統(tǒng)。
- TI C2000實時MCU與GaN電源解決方案搭配使用可提供多重優(yōu)勢，例如復(fù)雜與時效性處理能力、精確控制、軟件和周邊產(chǎn)品可擴充性等。此外，這些MCU可支援不同電源設(shè)計拓撲與高切換頻率，盡可能提升電源效率，徹底發(fā)揮GaN服務(wù)器電源解決方案的潛力。 


供貨與報價


查詢進一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.ti.com/techexchange。（張怡，產(chǎn)通發(fā)布）    （完）