【產(chǎn)通社，10月28日訊】意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics；NYSE股票代碼：STM）官網(wǎng)消息，其STPOWER MDmesh K6新系列超級(jí)結(jié)晶體管改進(jìn)多個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，最大限度減少系統(tǒng)功率損耗，特別適合基于反激式拓?fù)涞恼彰鲬?yīng)用，例如，LED驅(qū)動(dòng)器、HID燈，還是適用于電源適配器和平板顯示器的電源。

意大利固態(tài)照明創(chuàng)新企業(yè)TCI的首席技術(shù)官、研發(fā)經(jīng)理Luca Colombo表示，“我們已經(jīng)測(cè)評(píng)了新的超結(jié)超高壓MDmesh K6系列的樣片，并注意到其出色的Rdson面積和總柵極電荷（Qg）性能特點(diǎn)，給我們印象深刻�！�


產(chǎn)品特點(diǎn)


800V STPOWER MDmesh K6系列，為這種超級(jí)結(jié)晶體管技術(shù)樹立了高性能和易用性兼?zhèn)涞臉?biāo)桿。MDmesh K6的RDS（on）x面積參數(shù)在市場(chǎng)上現(xiàn)有800V產(chǎn)品中處于領(lǐng)先水平，能夠?qū)崿F(xiàn)緊湊的集高功率密度與市場(chǎng)領(lǐng)先的能效于一身新的新設(shè)計(jì)。

此外，K6系列的閾壓比上一代MDmesh K5更低，可使用更低的電壓驅(qū)動(dòng)，從而降低功耗并提高能效，主要用于零功耗待機(jī)應(yīng)用。總柵極電荷（Qg）也非常低，可以實(shí)現(xiàn)高開關(guān)速度和低損耗。

芯片上集成一個(gè)ESD保護(hù)二極管，將MOSFET的整體魯棒性提高到人體模型（HBM） 2級(jí)。


供貨與報(bào)價(jià)


采用TO-220通孔封裝的STP80N240K6（RDS（on）max = 0.22?, Qgtyp = 25.9nC）是首批量產(chǎn)的MDmesh K6 MOSFET，ST eSTore網(wǎng)上商店現(xiàn)已提供免費(fèi)樣片。DPAK和TO-220FP版本將于2022年1月前量產(chǎn)。訂購(gòu)1000件，單價(jià)1.013美元起。

意法半導(dǎo)體將于2022年前推出MDmesh K6的完整產(chǎn)品組合，將導(dǎo)通電阻RDS（on）范圍從0.22Ω擴(kuò)大到4.5Ω，并增加一系列封裝選項(xiàng)，包括SMD和通孔外殼。

查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問官方網(wǎng)站http://www.st.com/stpower-800v-mdmesh-k6，以及http://www.tcisaronno.net。（張怡，產(chǎn)通發(fā)布）    （完）