【產(chǎn)通社，11月4日訊】中國科學(xué)院（Chinese Academy of Sciences）官網(wǎng)消息，微電子所微電子器件與集成技術(shù)重點實驗室近日在SOT型磁性存儲器（MRAM）研究領(lǐng)域取得新進(jìn)展。實現(xiàn)低功耗、高穩(wěn)定的數(shù)據(jù)寫入操作是MRAM亟需解決的關(guān)鍵問題之一，其中，消除寫入電流的非對稱性對于實現(xiàn)寫入過程的穩(wěn)定可控以及簡化供電電路設(shè)計極為重要。

STT-MRAM（Spin-Transfer Torque MRAM）由于在寫入過程中，電子自旋在磁性功能層表面的透射和反射效率不同，寫入電流本征上是不對稱的，而SOT-MRAM（Spin-Orbit Torque MRAM）由于寫入機(jī)理上不存在自旋透射和反射的差異，因此，長期以來被認(rèn)為不存在寫入電流不對稱的問題。但另一方面，SOT-MRAM在寫入過程中所施加的輔助磁場則有可能從另一側(cè)面帶來寫入電流的非對稱性。由于目前SOT-MRAM尚處在尋找高效的SOT材料以及通過引入耦合層來提供此輔助場的基礎(chǔ)研究階段，此輔助磁場在器件和電路設(shè)計層面可能帶來的寫入非對稱性問題還沒有被涉及到。 

針對SOT-MRAM在未來量產(chǎn)過程中可能面臨的此類問題，微電子所微電子器件與集成技術(shù)重點實驗室從優(yōu)化磁性存儲器整體性能及制備工藝的角度出發(fā)，提前開展此類問題的研究。對于上述可能的寫入電流非對稱問題，重點實驗室研究人員及其合作者通過測定在有無輔助磁場下的SOT效率與寫入電流方向、輔助場方向及強(qiáng)弱之間的關(guān)系，直接證實了支配寫入過程的SOT效率也具有本征的非對稱性。進(jìn)一步研究表明，此非對稱性來源于輔助磁場對磁性功能層內(nèi)部自旋排列的精細(xì)影響。在此基礎(chǔ)上，研究人員測試了臨界寫入電流和SOT效率的關(guān)系，分析了寫入過程的兩種物理機(jī)制，認(rèn)為基于手性疇壁運(yùn)動的磁疇擴(kuò)展機(jī)制主導(dǎo)了SOT-MRAM的寫入過程，但另一種一致磁翻轉(zhuǎn)機(jī)制也可能隨機(jī)發(fā)生，從而為寫入過程引入額外的非對稱性。相關(guān)的研究結(jié)果從物理機(jī)理上限定了實現(xiàn)SOT-MRAM對稱性寫入的條件，為下一步電路設(shè)計和器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化提供了設(shè)計準(zhǔn)則。 

本工作得到了國家重點研發(fā)計劃、國家自然科學(xué)基金以及中科院相關(guān)項目的支持。具體研究結(jié)果以“Write Asymmetry of Spin-Orbit Torque Memory Induced by In-Plane Magnetic Fields”為題發(fā)表在近期的IEEE Electron Device Letters上（DOI：10.1109/LED.2021.3121800）。重點實驗室研究生姜柏青為論文第一作者，畢沖研究員和香港中文大學(xué)周艷教授為通訊作者。 

微電子所微電子器件與集成技術(shù)重點實驗室自2019年設(shè)立磁存儲及自旋電子器件研究方向以來，主要集中在從物理機(jī)理的角度解決限制MRAM發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)問題，以及從事自旋波耦合系統(tǒng)和環(huán)柵（GAA）型自旋器件在量子計算等前沿領(lǐng)域的研究。目前實驗室已具備了MRAM核心器件磁性隧道結(jié)（MTJ）的生長及微加工能力，建成了包括自旋轉(zhuǎn)移矩的高低頻測試以及磁性存儲器在0.5ns以下的高速寫入及動態(tài)觀測系統(tǒng)在內(nèi)的研發(fā)體系。 

查詢進(jìn)一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.cas.cn/syky，以及http://ieeexplore.ieee.org/document．9583249。（張嘉汐，產(chǎn)通發(fā)布）    （完）