【產(chǎn)通社，12月20日訊】意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics；NYSE股票代碼：STM）官網(wǎng)消息，其第三代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET晶體管 ，推進(jìn)在電動汽車動力系統(tǒng)功率設(shè)備的前沿應(yīng)用，及在其他以高功率密度、高能效、高可靠性為重要目標(biāo)的場景應(yīng)用。

意法半導(dǎo)體汽車和分立器件產(chǎn)品部副總裁、功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo Merli表示：“我們繼續(xù)推進(jìn)這一激動人心的技術(shù)發(fā)展，在芯片和封裝兩個層面不斷創(chuàng)新。作為一家全盤掌控供應(yīng)鏈的SiC產(chǎn)品制造商，我們能夠?yàn)榭蛻籼峁┬阅艹掷m(xù)改進(jìn)的產(chǎn)品。我們在不斷地投資推進(jìn)汽車和工業(yè)項(xiàng)目，預(yù)計(jì)2024年意法半導(dǎo)體SiC營收將達(dá)到10億美元。”


產(chǎn)品特點(diǎn)


意法半導(dǎo)體目前已完成第三代SiC技術(shù)平臺相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，從該技術(shù)平臺衍生的大部分產(chǎn)品預(yù)計(jì)在2021年底前達(dá)到商用成熟度。標(biāo)稱電壓650V、750V至1200V的器件將上市，為設(shè)計(jì)人員研發(fā)從市電取電，到電動汽車高壓電池和充電機(jī)供電的各種應(yīng)用提供更多選擇。首批上市產(chǎn)品是有650V的SCT040H65G3AG和750V 裸片形式的的SCT160N75G3D8AG。

意法半導(dǎo)體最新的平面MOSFET利用全新的第三代SiC技術(shù)平臺，為晶體管行業(yè)樹立了新的品質(zhì)因數(shù)（FoM）標(biāo)桿，業(yè)界認(rèn)可的FoM [導(dǎo)通電阻（Ron）x 裸片面積和Ron x柵極電荷（Qg）]算法表示晶體管能效、功率密度和開關(guān)性能。用普通硅技術(shù)改善FoM變得越來越困難，因此，SiC技術(shù)是進(jìn)一步改進(jìn)FoM的關(guān)鍵。意法半導(dǎo)體第三代SiC產(chǎn)品將引領(lǐng)晶體管FoM進(jìn)步。

碳化硅MOSFET的單位面積耐受電壓額定值比硅基MOSFET高，是電動汽車及快速充電基礎(chǔ)設(shè)施的最佳選擇。SiC還有一個優(yōu)點(diǎn)，寄生二極管開關(guān)速度非常快，電流雙向流動特性適用于電動汽車對外供電（V2X）車載充電機(jī)（OBC），可以從車載電池取電供給基礎(chǔ)設(shè)施。此外，SiC晶體管的開關(guān)頻率非常高，為在電源系統(tǒng)中使用尺寸更小的無源器件提供了可能，從而可以在車輛中使用更緊湊和輕量化的電氣設(shè)備。這些產(chǎn)品優(yōu)勢還有助于降低工業(yè)應(yīng)用中的擁有成本。


供貨與報價


意法半導(dǎo)體第三代產(chǎn)品有多種封裝可選，包括裸片、分立功率封裝（STPAK、H2PAK-7L、HiP247-4L和HU3PAK）和ACEPACK系列的功率模塊。這些封裝為設(shè)計(jì)者提供了創(chuàng)新功能，例如，專門設(shè)計(jì)的冷卻片可簡化芯片與電動汽車應(yīng)用的基板和散熱器的連接，這樣，設(shè)計(jì)人員可以根據(jù)應(yīng)用選擇專用芯片，例如，動力電機(jī)逆變器、車載充電機(jī)（OBC）、DC/DC變換器、電子空調(diào)壓縮機(jī)，以及工業(yè)應(yīng)用，例如，太陽能逆變器、儲能系統(tǒng)、電機(jī)驅(qū)動裝置和電源。

查詢進(jìn)一步信息，請?jiān)L問官方網(wǎng)站http://www.st.com/sic-mosfets。（張怡，產(chǎn)通發(fā)布）    （完）