【產(chǎn)通社，4月29日訊】吉林華微電子股份有限公司（Jilin Sino-Microelectronics；股票代碼：600360）2021年年度報(bào)告顯示，其報(bào)告期內(nèi)實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入221,005.52萬(wàn)元，同比上升28.60%；實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)11,570.73萬(wàn)元，同比上升238.50%。

報(bào)告期內(nèi)，公司全力推進(jìn)新一代IGBT及模塊、中低壓MOS、超結(jié)MOS、高壓FRD、平面SCR、第三代半導(dǎo)體等系列產(chǎn)品的開發(fā)以及推廣。產(chǎn)品性能、質(zhì)量及供貨能力持續(xù)提升，Trench FS IGBT工藝平臺(tái)及IPM封裝平臺(tái)，產(chǎn)品性能優(yōu)異、系列齊全，在白色家電、工業(yè)控制領(lǐng)域銷量行業(yè)領(lǐng)先；在光伏逆變領(lǐng)域，IGBT產(chǎn)品在行業(yè)領(lǐng)軍客戶實(shí)現(xiàn)批量銷售；完成600V-700V超結(jié)MOS平臺(tái)建設(shè)，進(jìn)一步豐富公司在電源領(lǐng)域和工控領(lǐng)域的產(chǎn)品系列；Trench SBD產(chǎn)品在光伏領(lǐng)域發(fā)力，在光伏標(biāo)桿客戶中形成穩(wěn)定銷售；在充電樁領(lǐng)域以及空調(diào)領(lǐng)域，F(xiàn)RD產(chǎn)品成功實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代；完成TVS及齊納二極管等系列產(chǎn)品平臺(tái)建設(shè)。

報(bào)告期內(nèi)，公司繼續(xù)推進(jìn)研發(fā)創(chuàng)新，提升核心技術(shù)能力，同時(shí)加強(qiáng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)，本年度累計(jì)申請(qǐng)專利38項(xiàng)，獲得授權(quán)專利18項(xiàng)。研發(fā)方面，完成了多層外延高壓超級(jí)結(jié)技術(shù)、載流子存儲(chǔ)溝槽IGBT技術(shù)、中壓SGT MOSFET等工藝技術(shù)研發(fā)，實(shí)現(xiàn)了具有自身特色的功率半導(dǎo)體工藝平臺(tái)的建設(shè)，進(jìn)一步完善了產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，提升產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。
（1）超結(jié)MOSFET：在第一代多層外延技術(shù)的基礎(chǔ)上，開發(fā)第二代多層外延高壓超級(jí)結(jié)技術(shù)，較第一代產(chǎn)品單位面積電阻降低20%，產(chǎn)品達(dá)到國(guó)內(nèi)外先進(jìn)水平，進(jìn)一步提高盈利能力。
（2）IGBT：根據(jù)在白色家電、工業(yè)變頻、UPS和光伏等領(lǐng)域應(yīng)用的不同特點(diǎn)，有針對(duì)性地優(yōu)化IGBT產(chǎn)品參數(shù)，形成適用于不同應(yīng)用領(lǐng)域的低、中、高頻系列的IGBT產(chǎn)品及模塊。開發(fā)載流子存儲(chǔ)溝槽IGBT技術(shù)，較上一代Trench IGBT電流能力提升25%，有望在未來(lái)幾年進(jìn)一步提升公司IGBT產(chǎn)品的綜合競(jìng)爭(zhēng)力。
（3）中低壓MOS：完成30V-200V Trench MOS產(chǎn)品系列化，具有低導(dǎo)通電阻兼顧耐沖擊能力的特點(diǎn)，在變頻、BMS和UPS領(lǐng)域發(fā)力；80V、100V SGT MOS平臺(tái)進(jìn)一步完善，產(chǎn)品達(dá)到國(guó)內(nèi)先進(jìn)水平，在電源、BMS領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。
（4）第三代半導(dǎo)體：完成650V-1200V、5A-40A SiC SBD產(chǎn)品開發(fā)，在快充、光伏、大功率電源領(lǐng)域開始示范性應(yīng)用；推出65W快充用650V GaN器件，產(chǎn)品效率與國(guó)際水平相當(dāng)。

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