【產(chǎn)通社，5月14日訊】安森美公司（onsemi；NASDAQ股票代碼：ON）官網(wǎng)消息，其在PCIM Europe展會發(fā)布全球首款To-Leadless（TOLL）封裝的碳化硅（SiC）MOSFET。該晶體管滿足了對適合高功率密度設(shè)計的高性能開關(guān)器件迅速增長的需求。直到最近，SiC器件一直采用明顯需要更大空間的D2PAK 7引腳封裝。

安森美先進(jìn)電源分部高級副總裁兼總經(jīng)理Asif Jakwani說：“能在小空間內(nèi)提供高度可靠的電源設(shè)計正成為許多領(lǐng)域的競爭優(yōu)勢，包括工業(yè)、高性能電源和服務(wù)器應(yīng)用。將我們同類最佳的SiC MOSFET封裝在TOLL封裝中，不僅減小空間，還在諸多方面增強(qiáng)性能，如EMI和降低損耗等，為市場提供高度可靠和堅固的高性能開關(guān)器件，將幫助電源設(shè)計人員解決對其嚴(yán)格的電源設(shè)計挑戰(zhàn)�！�


產(chǎn)品特點(diǎn)


TOLL封裝的尺寸僅為9.90×11.68mm，比D2PAK封裝的PCB面積節(jié)省30%。而且，它的外形只有2.30mm，比D2PAK封裝的體積小60%。

除了更小尺寸之外，TOLL封裝還提供比D2PAK 7引腳更好的熱性能和更低的封裝電感（2nH）。其開爾文源極（Kelvin source）配置可確保更低的門極噪聲和開關(guān)損耗 – 包括與沒有Kelvin配置的器件相比，導(dǎo)通損耗（EON）減少60%，確保在具有挑戰(zhàn)性的電源設(shè)計中能顯著提高能效和功率密度，以及改善電磁干擾（EMI）和更容易進(jìn)行PCB設(shè)計。

SiC器件比硅前輩具有明顯的優(yōu)勢，包括增強(qiáng)高頻能效、更低的EMI、能在更高溫度下工作和更可靠。安森美是唯一具有垂直集成能力的SiC方案供應(yīng)商，包括SiC晶球生長、襯底、外延、晶圓制造、同類最佳的集成模塊和分立封裝解決方案。

NTBL045N065SC1是首款采用TOLL封裝的SiC MOSFET，適用于要求嚴(yán)苛的應(yīng)用，包括開關(guān)電源（SMPS）、服務(wù)器和電信電源、太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）和儲能。該器件適用于需要滿足最具挑戰(zhàn)性的能效標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)計，包括ErP和80 PLUS Titanium能效標(biāo)準(zhǔn)。

NTBL045N065SC1 VDSS額定值為650V，典型RDS（on）僅為33mΩ，最大電耗（ID）為73A。基于寬禁帶（WBG）SiC技術(shù)，該器件的最高工作溫度為175°C ，并擁有超低門極電荷（QG（tot）=105nC），能顯著降低開關(guān)損耗。此外，該TOLL封裝是保證濕度敏感度等級1（MSL1），以確保減少批量生產(chǎn)中的故障率。


供貨與報價


安森美還提供車規(guī)級器件，包括TO-247 3引腳、4引腳和D2PAK 7引腳封裝。查詢進(jìn)一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.onsemi.cn。（張怡，產(chǎn)通發(fā)布）    （完）