【產(chǎn)通社，6月30日訊】意法半導體（STMicroelectronics；NYSE股票代碼：STM）官網(wǎng)消息，其40V MOSFET晶體管STL320N4LF8和STL325N4LF8AG降低導通電阻和開關損耗，同時優(yōu)化體寄生二極管特性，降低功率轉(zhuǎn)換、電機控制和配電電路的能耗和噪聲。


產(chǎn)品特點


新型40V N溝道增強型MOSFET利用最新一代STPOWER STripFET F8氧化物填充溝槽技術實現(xiàn)卓越的品質(zhì)因數(shù)。在柵源電壓（VGS）為10V時，STL320N4LF8和STL325N4LF8AG的最大導通電阻（Rds(on)）分別為0.8毫歐和和0.75毫歐。新MOSFET的裸片單位面積（Rds(on)）電阻非常低，因此可以采用節(jié)省空間且熱效率高的PowerFLAT 5×6封裝。

意法半導體先進的STripFET F8技術的開關速度十分出色，低芯片電容可以最大限度地降低柵漏電荷等動態(tài)參數(shù)，提高系統(tǒng)能效。設計人員可以在600kHz至1MHz范圍內(nèi)選擇開關頻率，允許使用尺寸更小的電容和磁性元件，節(jié)省電路尺寸和物料清單成本，提高終端應用的功率密度。

適當?shù)妮敵鲭娙莺拖嚓P的等效串聯(lián)電阻可防止漏源電壓出現(xiàn)尖峰，并確保在管子關斷時突降振蕩時間更短。 憑借這一點和體二極管的軟恢復特性，STL320N4LF8和STL325N4LF8AG發(fā)出的電磁干擾（EMI） 低于市場上其他類似器件。此外，體寄生二極管的反向恢復電荷很小，可最大限度地減少硬開關拓撲的能量損耗。

柵極閾壓（VGS(th)）在STL320N4LF8和STL325N4LF8AG中受到嚴格控制，以確保器件之間的閾壓差異很小，以便并聯(lián)多個MOSFET功率管，處理更大的電流。短路耐受能力也非常出色，可承受高達1000A的電流（脈沖短于10μs）。STL320N4LF8和STL325N4LF8AG分別是第一款符合工業(yè)標準和AEC-Q101汽車標準的STPOWER STripFET F8 MOSFET器件，是電池供電產(chǎn)品和計算、電信、照明和通用功率轉(zhuǎn)換應用的理想選擇。


供貨與報價


STL320N4LF8和STL325N4LF8AG現(xiàn)已量產(chǎn)。查詢進一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.st.com/f8-stripfet。（張怡，產(chǎn)通發(fā)布）    （完）