【產(chǎn)通社，7月23日訊】豪威科技（OmniVision Group）官網(wǎng)消息，其全新推出兩款MOSFET：業(yè)內(nèi)最低內(nèi)阻雙N溝道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N溝道MOSFET WNM6008。


產(chǎn)品特點(diǎn)


近幾年，手機(jī)快充技術(shù)飛速發(fā)展，峰值充電功率屢創(chuàng)新高。在極大地緩解消費(fèi)者電量焦慮的同時(shí)，高功率充電下的安全問(wèn)題不容小覷。MOSFET在電池包裝中起到安全保護(hù)開(kāi)關(guān)的作用，其本身對(duì)功率的損耗也必須足夠低才能滿足高效、低發(fā)熱的要求。

WNMD2196A：超低Rds(ON)，專為手機(jī)鋰電池保護(hù)設(shè)計(jì)

雙N溝道增強(qiáng)型MOSFET，WNMD2196A具有業(yè)內(nèi)同類產(chǎn)品最低內(nèi)阻，Rds(ON)低至1m?，專為手機(jī)鋰電池電路保護(hù)設(shè)計(jì)。WNMD2196A采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)設(shè)計(jì)，提供卓越的Rds(ON)的同時(shí)實(shí)現(xiàn)低柵極電荷。載流子遷移速度快，閾值電壓低，開(kāi)關(guān)速率高。

WNMD2196A兼顧性能與設(shè)計(jì)靈活性。該產(chǎn)品采用CSP封裝，更緊湊，方便電池應(yīng)用布板設(shè)計(jì)。同時(shí)，優(yōu)化的SOA特性，提高承受沖擊電流的能力；超低Rds(ON)，可實(shí)現(xiàn)更高的效率和更低的溫升，提升了產(chǎn)品的可靠性。
 
WNM6008：80V高功率MOSFET 適用太陽(yáng)能、電池供電應(yīng)用 

WNM6008——80V高功率MOSFET，采用最新一代Shield Gate技術(shù)，針對(duì)電信和服務(wù)器電源中使用的更高開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行了優(yōu)化，具備超低FOM值（開(kāi)關(guān)應(yīng)用重要優(yōu)值系數(shù)）。WNM6008低開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗，可實(shí)現(xiàn)更高效率、更優(yōu)EMI性能。適用于同步整流應(yīng)用，優(yōu)化了反向恢復(fù)電荷從而實(shí)現(xiàn)更低的尖峰電壓，提供最高水平的功率密度和能效，繼而為電源提供更高的效率和更強(qiáng)的可靠性。

WNM6008適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開(kāi)關(guān)和充電電路。可有效賦能太陽(yáng)能、電源和電池供電（例如電動(dòng)代步車）等應(yīng)用。該產(chǎn)品符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)，采用QFN5x6標(biāo)準(zhǔn)緊湊封裝，在實(shí)現(xiàn)高功率密度的能量傳輸?shù)耐瑫r(shí)，方便對(duì)市場(chǎng)上同類產(chǎn)品進(jìn)行升級(jí)替換。


供貨與報(bào)價(jià)


查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)官方網(wǎng)站http://www.omnivision-group.com。（張怡，產(chǎn)通發(fā)布）    （完）