【產(chǎn)通社，8月25日訊】SK海力士（SK Hynix；KRX韓國證券交易所股票代碼：000660.KS）官網(wǎng)消息，其向客戶發(fā)送了238層512Gb TLC（Triple Level Cell）1 4D NAND閃存的樣品，并計劃在2023年上半年正式投入量產(chǎn)。自2020年12月完成176層NAND閃存研發(fā)以來，時隔僅1年7個月，SK海力士全球首次成功完成了新一代技術(shù)的研發(fā)。此次238層NAND閃存在達(dá)到業(yè)界最高堆棧層數(shù)的同時實(shí)現(xiàn)了全球最小的面積，其意義更加非凡 。


產(chǎn)品特點(diǎn)


SK海力士在2018年研發(fā)的96層NAND閃存就超越了傳統(tǒng)的3D方式，并導(dǎo)入了4D方式。為成功研發(fā)4D架構(gòu)的芯片，公司采用了電荷捕獲型技術(shù)（CTF，Charge Trap Flash）3和PUC（Peri. Under Cell）4技術(shù)。相比3D方式，4D架構(gòu)具有單元面積更小，生產(chǎn)效率更高的優(yōu)點(diǎn)。

238層NAND閃存成功堆棧更高層數(shù)的同時，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最小的面積。新產(chǎn)品每單位面積具備更高的密度，借其更小的面積能夠在相同大小的硅晶片生產(chǎn)出更多的芯片，因此相比176層NAND閃存其生產(chǎn)效率也提高了34%。

此外，238層NAND閃存的數(shù)據(jù)傳輸速度為2.4Gbps，相比前一代產(chǎn)品提高了50%，芯片讀取數(shù)據(jù)時的能源消耗也減少了21%�？梢哉f，SK海力士通過節(jié)省芯片的電力消耗，在ESG方面也取得了可圈可點(diǎn)的進(jìn)步。

SK海力士計劃先為cSSD（client SSD，主要應(yīng)用范圍為PC用存儲設(shè)備）供應(yīng)238層NAND閃存，隨后將其導(dǎo)入范圍逐漸延伸至智能手機(jī)和高容量的服務(wù)器SSD等。公司還將于明年發(fā)布1Tb 密度的全新238層NAND閃存產(chǎn)品，其密度是現(xiàn)有產(chǎn)品的兩倍。

1NAND閃存芯片根據(jù)每個單元（Cell）可以存儲的信息量（比特,bit）可分為SLC（Single Level Cell）、MLC（Multi Level Cell）、TLC（Triple Level Cell）、QLC（Quadruple Level Cell）、PLC（Penta Level Cell）等規(guī)格。單元信息存儲容量越大，意味著單位面積可以存儲的數(shù)據(jù)越多。


供貨與報價


查詢進(jìn)一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://news.skhynix.com.cn。（張怡，產(chǎn)通發(fā)布）     （完）