【產(chǎn)通社，9月1日訊】東芝電子元件及存儲裝置株式會社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation）官網(wǎng)消息，其推出新款功率器件——第三代碳化硅（SiC）MOSFET TWxxNxxxC系列。該系列具有低導(dǎo)通電阻，可顯著降低開關(guān)損耗。主要應(yīng)用包括：開關(guān)電源（服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心、通信設(shè)備等），電動汽車充電站，光伏變頻器，不間斷電源（UPS）。


產(chǎn)品特點(diǎn)


新產(chǎn)品的單位面積導(dǎo)通電阻（RDS(ON)A）下降了大約43%，從而使“漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大約80%，這是體現(xiàn)導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗間關(guān)系的重要指標(biāo)。這樣可以將開關(guān)損耗減少大約20%，同時(shí)降低導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗。因此，新產(chǎn)品有助于提高設(shè)備效率。

東芝將進(jìn)一步壯大其功率器件產(chǎn)品線，強(qiáng)化生產(chǎn)設(shè)施，并通過提供易于使用的高性能功率器件，努力實(shí)現(xiàn)碳中和經(jīng)濟(jì)。


供貨與報(bào)價(jià)


該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，已于今日開始出貨。查詢進(jìn)一步信息，請?jiān)L問官方網(wǎng)站http://toshiba.semicon-storage.com。（張怡，產(chǎn)通發(fā)布）    （完）