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飛兆半導(dǎo)體FDMS86101為開(kāi)關(guān)應(yīng)用提供出色的品質(zhì)因數(shù)
2009/5/11 7:32:21     

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【產(chǎn)通社,5月11日訊】飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)消息,其為隔離式DC-DC應(yīng)用設(shè)計(jì)人員設(shè)計(jì)的新型100V MOSFET器件FDMS86101具有低達(dá)50%的RDS(ON)和出色的品質(zhì)因數(shù)(figure of merits, FOM),有效提高電源設(shè)計(jì)的效率。

FDMS86101是采用5mm x 6mm MLP Power56 封裝的100V MOSFET器件,使用了飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench工藝技術(shù),能夠最大限度地減小導(dǎo)通阻抗,同時(shí)保持優(yōu)良的開(kāi)關(guān)性能和穩(wěn)健性。相比柵級(jí)電荷相同的現(xiàn)有解決方案,這一專(zhuān)有工藝技術(shù)提供了業(yè)界最低的RDS(ON) (8mΩ),使FDMS86101得以減小導(dǎo)通損耗,而不會(huì)受到較高柵級(jí)電荷的影響。以太網(wǎng)、刀片服務(wù)器和電信應(yīng)用正逐漸從12V轉(zhuǎn)向48V電源,對(duì)于優(yōu)化開(kāi)關(guān)效率的需求變得越來(lái)越重要。

PowerTrench MOSFET內(nèi)置增強(qiáng)型軟體(soft-body)二極管,可以減小開(kāi)關(guān)噪聲并降低應(yīng)用的EMI敏感性。這項(xiàng)功能可以節(jié)省線(xiàn)路板空間和減少組件數(shù)目,而許多替代解決方案卻需要加入一個(gè)緩沖器網(wǎng)絡(luò)才能減小開(kāi)關(guān)噪聲尖峰。

FDMS86101是飛兆半導(dǎo)體全面的PowerTrench MOSFET產(chǎn)品系列的一員,能夠滿(mǎn)足當(dāng)今電子產(chǎn)品的電氣和熱性能要求,有助于實(shí)現(xiàn)更高的能效。飛兆半導(dǎo)體性能先進(jìn)的PowerTrench MOSFET工藝技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)非常低的米勒電荷(QGD)、RDS(on)和總柵極電荷(QG),從而獲得出色的開(kāi)關(guān)性能和熱效率。

FDMS86101現(xiàn)提供樣品,單價(jià)(訂購(gòu)1000個(gè))為1.55美元,交貨期為8-10周。獲取數(shù)據(jù)表,請(qǐng)?jiān)L問(wèn)http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMS86101.pdf。

    (完)
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