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中科院半導(dǎo)體所發(fā)現(xiàn)一種自旋存算器件全電寫(xiě)入新方式
2023/1/31 9:22:51     

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【產(chǎn)通社,1月31日訊】中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所(Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences, ISCAS)官網(wǎng)消息,其半導(dǎo)體超晶格國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的朱禮軍課題組最近發(fā)現(xiàn)一種由擴(kuò)散電流(spreading current)引起、廣泛存在于微納米器件和具有重要影響的垂直有效磁場(chǎng),并發(fā)展了不同極化方向自旋(σx, σy, σz)的可靠測(cè)量方法。

自旋電子學(xué)存算器件是后摩爾時(shí)代信息科學(xué)的潛在解決方案之一。如何實(shí)現(xiàn)垂直磁各向異性比特的高能效全電驅(qū)動(dòng)是目前高密度自旋存算技術(shù)亟待突破的重要課題。傳統(tǒng)材料(如重金屬和拓?fù)洳牧系龋┯捎趯?duì)稱(chēng)性保護(hù)只能產(chǎn)生面內(nèi)橫向極化自旋(σy),其角動(dòng)量無(wú)法翻轉(zhuǎn)垂直磁各向異性比特。因此,尋找垂直有效磁場(chǎng)和垂直極化自旋(σz)的有效產(chǎn)生方法成為近年來(lái)的科學(xué)前沿和研究熱點(diǎn)。

技術(shù)上,該垂直有效磁場(chǎng)為自旋存算器件提供了一種新穎、普適、高能效、可高密度集成的全電寫(xiě)入方式。圖1(b) 所示為基于該方法的全電驅(qū)動(dòng)SOT-MRAM基元?茖W(xué)上,該垂直有效磁場(chǎng)呈現(xiàn)出被數(shù)十篇文獻(xiàn)所認(rèn)為的可判定垂直極化自旋(σz)存在的三種“指紋特征”:面內(nèi)磁矩的自旋扭矩鐵磁共振(ST-FMR)出現(xiàn)sin2φ響應(yīng)(φ為外磁場(chǎng)相對(duì)電流的夾角);諧波霍爾電壓響應(yīng)(HHVR)出現(xiàn)面內(nèi)角度不依賴(lài)響應(yīng);均勻垂直磁矩出現(xiàn)零磁場(chǎng)電流翻轉(zhuǎn)。該一發(fā)現(xiàn)意味著在通過(guò)自旋扭矩鐵磁共振、諧波霍爾電壓響應(yīng)和磁矩翻轉(zhuǎn)等手段判定垂直自旋或其他自旋的出現(xiàn)及其產(chǎn)生的自旋軌道矩強(qiáng)度和各向異性等時(shí)都必須充分考慮擴(kuò)散電流及類(lèi)似電流非均勻性效應(yīng)的重要影響。例如,在低長(zhǎng)寬比或具有非對(duì)稱(chēng)電極形狀的條形器件時(shí)(如圖1(a)所示的2端ST-FMR器件),忽略該垂直有效場(chǎng)將導(dǎo)致嚴(yán)重錯(cuò)誤的自旋軌道矩?cái)?shù)值和各向異性結(jié)論。

該工作發(fā)表在美國(guó)物理聯(lián)合會(huì)(AIP)旗艦期刊Applied Physics Reviews,入選期刊“研究亮點(diǎn)(Featured Article)”并被美國(guó)物理聯(lián)合會(huì)科學(xué)之光Scilight專(zhuān)題報(bào)道。朱禮軍研究員為通訊作者,劉前標(biāo)博士為第一作者。該工作得到了中科院B類(lèi)先導(dǎo)專(zhuān)項(xiàng)的支持。

論文全文鏈接:Qianbiao Liu, Lijun Zhu*, Current-induced perpendicular effective magnetic field in magnetic heterostructures, Appl. Phys. Rev. Appl. Phys. Rev. 9, 041401 (2022)。
查詢(xún)進(jìn)一步信息,請(qǐng)?jiān)L問(wèn)官方網(wǎng)站http://www.semi.cas.cn/xwdt/kyjz/202210/t20221014_6529939.html。(Donna Zhang,張底剪報(bào))    (完)
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